Наведено експериментальні результати досліджень мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, отриманих методом безтигельної зонної плавки. Встановлено, що поблизу фронту кристалізації значення концентрацій вакансій і міжвузловинних атомів кремнію однакові. Розпад твердого розчину власних точкових дефектів проходить за двома незалежними механізмами - вакансійному та міжвузловинному. За результатами проведених експериментів визначено механізм утворення мікродефектів.

На основі аналізу зв'язку дефектів матеріалу напівпровідникових приладів з рівнем їх низькочастотного струмового шуму запропоновано експериментальну методику оцінювання надійності біполярних транзисторів за результатами вимірювань шуму струму бази. Методику обгрунтовано результатами вимірювань низькочастотного шуму транзисторів КТ3102.

Наведено експериментальні результати досліджень мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, отриманих методом безтигельної зонної плавки після різноманітних термічних обробок. Зроблено висновки щодо особливостей перетворення мікродефектів у результаті різних високотемпературних технологічних впливів. За результатами проведених експериментів установлено механізм трансформації первинних ростових мікродефектів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

З вакористанням методу просвітлювальної електронної мікроскопії досліджено о властивості бездислокаційного кремнію після іонної імплантації арсену. Леговані кристали піддано термічній обробці за 650 і 850 °C. Отримані результати свідчать, що у ході іонного легування та наступних термічних обробок йде процес зростання і трансформації ростових мікродефектів на фоні розпаду пересиченого твердого розчину кремній - арсен.

Висвітлено сучасні природничо-наукові теорії будови Всесвіту, проаналізовано досягнення та парадокси класичної механіки, фізики й астрономії. Розкрито теоретичні засади методології наукових досліджень, визначено шляхи активізації технічної творчості. Проаналізовано базові принципи сучасної біоетики, наведено методи запобігання/зменшення біонебезпеки. Значну увагу приділено розгляду основних категорій авторського права та патентозахисту, з'ясовано роль інтелектуальної власності в економічному та соціальному розвитку суспільства. Розглянуто питання метрологічного забезпечення наукових досліджень у межах законодавчої бази України.

Освещены современные естественно-научные теории строения Вселенной, проанализированы достижения и парадоксы классической механики, физики и астрономии. Раскрыты теоретические основы методологии научных исследований, обоснованы пути активизации технического творчества. Проанализированы базовые принципы современной биоэтики, приведены методы предотвращения/уменьшения биоопасности. Значительное внимание уделено рассмотрению основных категорий авторского права и защиты патентов, определена роль интеллектуальной собственности в экономическом и социальном развитии общества. Рассмотрены вопросы метрологического обеспечения научных достижений в пределах законодательной базы Украины.

Представлено узагальнені дані, які свідчать про те, що, хоча кремній і залишається домінуючим напівпровідниковим матеріалом, чітко простежуються деякі тенденції, які надають змогу прогнозувати настання ери "посткремнієвої" електроніки до 2020 р.

Висвітлено місце і роль інтелектуальних чинників у системі управління сучасним підприємством (фірмою), запропоновано розглядати інтелектуальну власність як триєдине поняття, у якому поєднуються економічна, юридична і творча компоненти, розроблено типову схему підсистеми управління інтелектуальними активами підприємства (фірми).

Досліджено вплив умов металізації на параметри бар'єру Шотткі, вивчено контакти Ag - GaAs. Розглянуто та проаналізовано вплив на параметри бар'єрів Шотткі температури відпалу, швидкості підвищення температури відпалу й охолодження.