Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)
Пошуковий запит: (<.>A=Лесюк Р$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5

      
Категорія:    
1.

Качан С. І. 
Одновимірна модель процесу утворення центрів забарвлення в легованих кристалах CaFVB2D / С. І. Качан, В. К. Савчук, Р. І. Лесюк // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2006. - № 569. - С. 152-156. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.

Проведено розрахунки конфігурації потенціальної ями для електрона та дірки в електростатичному полі, створеному моно- та бідиполями, які введено в іонний ланцюг. Розраховано величину ефективності генерації центрів забарвлення та їх релаксації для двох випадків розміщення дипольних комплексів: дипольні моменти сусідніх комплексів паралельні та антипаралельні. Досліджено залежність ефективності генерації центрів забарвлення залежно від віддалі між сусідніми дипольними комплексами.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.1

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Лесюк Р. І. 
Адгезія та надійність струмопровідних шарів, виготовлених струменевим друком наночастинок срібла / Р. І. Лесюк, Я. В. Бобицький, В. Їллек, В. К. Савчук, Б. К. Котлярчук // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2009. - № 646. - С. 24-28. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: З844.1-01

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
3.

Лесюк Р. І. 
Формування струмопровідних елементів електронних плат струменевою технологією з використанням наночастинок срібла : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Р. І. Лесюк; Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л., 2011. - 22 c. - укp.

Досліджено процес виникнення струмопровідності за термічної та лазерної обробках стабілізованого колоїду срібла, що попередньо друкувався на поліімідну та керамічну підкладки. Показано, що струмопровідність виникає внаслідок двох взаємодоповнюючих процесів: випаровування органічної матриці та розчинників, яке відбувається за температур менших за 160 °С, що дозволяє наночастинкам прийти в контакт, і низькотемпературного спікання за 160 - 300 °С, що проявляється в укрупненні зерна, зростанні питомої електропровідності та мікротвердості. Визначено вплив режимів термічної обробки на адгезію плівок срібла. Показано, що обробка за температур 200 - 300 °С може забезпечити адгезію 10 - 20 МПа, що є достатнім для застосування у друкованих платах. Встановлено структуру поверхні плівок засобами СЕМ. Формування в процесі спікання кристалітів срібла формою, близькою до сферичної, та розмірами 80 - 250 нм, пояснено коалесценцією наночастинок, середній розмір яких становив 9.2 нм. Вивчено вологостійкість, стійкість до перепадів температур виготовлених струмопровідних доріжок і зміну опору в режимі пропускання струму впродовж близько 1 500 год. Показано швидку деградацію струмопровідних властивостей за умов підвищеної вологості та температури, що вказує на необхідність захисту поверхні. Надано шляхи оптимізації якості друку. Розроблено методику металізації міжшарових отворів двошарової плати. За розробленою технологією виготовлено макети мініатюрних УКХ-радіоприймачів.


Індекс рубрикатора НБУВ: З844.16-060.1/8

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА386142 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Лесюк Р. І. 
Лазерна обробка при виготовленні струмопровідних доріжок друком наночастинок срібла для потреб електроніки / Р. І. Лесюк, Я. В. Бобицький, Б. К. Котлярчук, В. Їллек // Электроника и связь. - 2010. - № 3. - С. 16-19. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: З88-011

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
5.

Яремчук І. 
Оптичні властивості наночастинок моносульфіду купруму у близькій інфрачервоній області спектра / І. Яремчук, Т. Булавінець, О. Вернигор, Я. Гніліцький, Р. Лесюк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : зб. наук. пр. - 2022. - 20, вип. 2. - С. 345-358. - Бібліогр.: 30 назв. - укp.

Встановлено вплив структурних параметрів CuS на його діелектричну сталу. Показано, що довжина хвилі та плазмова частота мають найбільший вплив на значення комплексної діелектричної проникності наночастинок CuS. Розраховано спектральні характеристики наночастинок CuS залежно від їх струкурних і геометричних параметрів. Частота локалізованого поверхневого плазмонного резонансу наночастинок CuS, прямо пропорційна їх плазмовій частоті, зменшується зі збільшенням діелектричної проникності навколишнього середовища та зі збільшенням сталої затухання вільних носіїв. Крім того, зі зменшенням плазмової частоти значення коефіцієнта екстинкції зменшується, а зміна значення плазмової частоти суттєво впливає на положення піка локалізованого поверхневого плазмонного резонансу. Результати розрахунків показали, що коефіцієнт екстинкції наночастинок CuS зменшується зі збільшенням сталої затухання вільних носіїв. Зазначено, що положення піка локалізованого поверхневого плазмонного резонансу в цьому випадку не зміниться та буде знаходитися на довжині хвилі близько 1 мкм. Збільшення показника заломлення навколишнього середовища призводить до зсуву піка плазмонного поглинання в область більших довжин хвиль. Встановлено, що плазмова частота та показник заломлення середовища, в якому розміщені наночастинки, мають найбільший вплив на значення коефіцієнта екстинкції наночастинок CuS. Проведено моделювання двох типів наночастинок, яких деформовано по двох осях. Показано, що несферичні наночастинки характеризуються двома плазмонними піками, що відповідають поперечному та повздовжньому локалізованим поверхневим плазмонним резонансам, а віддаль між піками залежить від співвідношення між осями несферичної наночастинки.



Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського