Встановлено судово-токсикологічні, патоморфологічні та біофізичні критерії судово-медичної діагностики отруєнь етанолом з урахуванням кількісного вмісту ацетальдегіду у крові й етанолу в гематомах. Визначено особливості динаміки смертності внаслідок отруєнь алкоголем серед населення Луганщини за 5 років. Виявлено, що найбільшу кількість померлих складали чоловіки працездатного віку. Проведено порівняльний аналіз результатів морфологічного дослідження головного мозку, серця, легень, печінки, нирок і надниркових залоз у разі смерті внаслідок отруєння алкоголем. Виявлено виразні патоморфологічні зміни, оцінка яких може бути критерієм визначення причини смерті в результаті алкогольної інтоксикації. Здійснено модифікацію кількісного вмісту ацетальдегіду у трупній крові на базі використання оригінального пристрою, що забезпечує скорочення тривалості часу та підвищення точності визначення концентрації ацетальдегіду у крові. Показано можливість використання результатів судово-медичної оцінки кількісного вмісту етилового алкоголю в гематомах для визначення стану алкогольного сп'яніння або тверезості потерпілого під час утворення гематоми, тривалості життя після травми з урахуванням інших об'єктивних даних, зокрема, швидкості виведення етанолу з організму, факту вживання спиртних напоїв уже після травми, а отже і можливості здійснення потерпілим активних дій. Наведено кількісні дані про біофізичні відмінності серця у разі смерті внаслідок алкогольної міокардіодистрофії, гострої коронарної недостатності й отруєнь етиловим алкоголем, які є критерієм для диференційної діагностики.

Розглянуто питання розробки достовірних експериментальних і розрахункових методів визначення критеріїв появи та кількісних характеристик оборотних відмов (відхилення вольтамперних характеристик) напівпровідникової елементної бази електрорадіовиробів (діодів) за дії імпульсного електромагнітного випромінювання. Побудовано фізичну модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів. Одержано розрахункові співвідношення для визначення кількісних характеристик оборотних відмов напівпровідникових діодів (енергії випромінювання) за умов перехідного та черенковського випромінювання. Проведено експериментальне дослідження впливу імпульсного електромагнітного випромінювання на вольтамперні характеристики діодів у діапазоні робочих напруг і струмів приладів такого типу. Проведено порівняльний аналіз результатів експериментальних досліджень і розрахункових оцінок оборотних відмов, доведено адекватність запропонованої фізичної моделі появи відмов напівпровідникових приладів за умов дії імпульсного випромінювання та можливість її застосування для одержання кількісних характеристик відмов такого роду.