Розвинуто метод розрахунку електронної структури, вільної енергії, магнітних характеристик і провідності невпрядкованих систем з сильними електронними кореляціями. Метод базується на теорії бататократного розсіяння. Одержано кластерний розклад для одночастинкової та двочастинкової функцій Гріна (густини електронних станів і електропровідності) невпорядкованої системи з урахуванням електрон-електронної, електрон-фононної і електрон-іонної взаємодії. Як нульове одновузлове наближення у цьому розкладі обирається наближення когерентного потенціалу. Одержані вирази дозволяють дослідити мікроскопічний механізм намагнічування та спінового транспорту у сильнокорельованих системах. Проведено розрахунок магнітних властивостей і спінового транспорту для еквіатомного сплаву Fe - Co. Показано, що різниця потоків електронів з різною орієнтацією спіна залежить від положення рівня Фермі відносно квазіщілини в енергетичному спектрі електронів.

Індекс рубрикатора НБУВ: Е521.551.1 Sac*71 + Е50*715.5

Рубрики:

Endomycetales

Загальна ботаніка

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На основе однозонной модели Хаббарда исследованы электронная структура, магнитная фазовая диаграмма и спин-зависимый транспорт систем с сильными электронными корреляциями и найдена процедура оптимизации параметров модели для достижения максимальной спиновой поляризации электронного тока.

З використанням раніше відкритого авторами явища дисперсійної (фазової) структурної чутливості картини багаторазового розсіяння створено теоретичні й експериментальні основи трикристальної динамічної дифрактометрії багатошарових кристалічних систем з неоднорідно розподіленими мікродефектами та макродеформацією. Враховано динамічний характер когерентного та дифузного розсіяння від дефектів у всіх шарах системи, а також багаторазовість розсіяння між шарами.

Наведено квантово-механічну інтерпретацію деяких класичних фізичних явищ (дифракції, заломлення, поглинання, екстинкції та ін.), а також механізмів впливу недосконалостей структури досліджуваних об'єктів на ці явища з метою суттєвого поглиблення розуміння їх природи і більш ефективного використання їх під час створення новітніх функціональних можливостей у діагностиці об'єктів як наноіндустрії, так і медицини.

Проведено детальну порівняльну аналізу ряду наявних метод фазоконтрастної томографії та можливостей їх застосування для медичної діягностики. Більш детально розглянуто особливості, переваги та недоліки найперспективнішого серед них для медицини фазодисперсійного методу, який передбачає використання явища рефракції, для створення на його базі нових підходів і можливостей адекватної медичної діагностики ранніх стадій новоутворень довільних форми й розмірів, включаючи мікронні. Висвітлено можливості радикального підвищення інформативности діагностики на основі створеного тривісної моделі багатократного розсіяння у монохроматорі, об'єкті дослідження та у аналізаторі, з експериментальним поділом внесків від поглинання і заломлення в об'єкті та врахуванням спотворень кристалічної структури монохроматора й аналізатора.

Створено теоретичну модель динамічної дифракції рентгенівських променів у кристалах з дефектами довільних типів, що вперше враховує ефекти повної (а не лише другого порядку теорії збурень) багатократності розсіяння дифузних і когерентних хвиль на флуктуаційній частині кристалічного потенціалу. Зокрема, одержано вирази для дисперсійних поправок до когерентного та дифузного хвильових полів, що враховують повну багатократність розсіяння, як на періодичній, так і на флуктуаційній частинах кристалічного потенціалу. Показано необхідність і достатність використання зазначених поправок у формулах для інтенсивності дифракції за діагностики дефектів другого класу за М. О. Кривоглазом.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.213 + В379.222

Рубрики:

Тубулярні і цибулинні графени

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

З метою створення статистичної динамічної теорії розсіяння випромінення у багатошарових системах з різними за недосконалостями структури та складом кристалічними й аморфними шарами, як найбільш загального та головного елемента такої теорії, побудовано узагальнену теоретичну модель когерентного розсіяння в двошаровій кристалічній системі з аморфним поверхневим шаром і статистично розподіленими дефектами Кулонового типу в кожному шарі. Одержано вирази для когерентної складової відбивної здатності вказаної системи з використанням двох методів: методу підсумовування амплітуд і методу крайових умов, що уможливило встановити й описати механізм формування інтенсивності за рахунок ефектів багаторазовості розсіяння. Проведено аналіз одержаних результатів та їх адаптацію до деяких практично важливих випадків.

Відкрито фазообумовлене явище взаємопов'язаних дисперсійного та фазоваріативного підсилень до 4 - 6 порядків величини чутливості та принципового покращання інформативних можливостей структурної діагностики. При цьому показано, що підвищення чутливості та інформативності динамічної картини розсіяння у порівнянні з кінематичною обумовлено зміною механізму впливу дефектів на ці картини. Так, у кінематичній картині дефекти впливають лише на амплітуду хвильової функції, а у динамічній також і на модуль її хвильових векторів, тобто на її фазу, що експоненційно більш ефективно та забезпечує можливість фазоваріативного підвищення інформативності діагностики. Показано необхідність урахування також додаткового фазового механізму суттєвого впливу дефектів, що обумовлюється нелінійними ефектами багатократного розсіяння на флуктуаційній частині кристала, які описують екстинкцію за рахунок розсіяння на дефектах як бреггівських, так і дифузних хвиль. Крім того встановлено, що відкриті фазові структурно-чутливі механізми впливу дефектів на картину розсіяння спричиняють підсилені на порядки величини залежності картини, а також її структурно-чутливих параметрів не лише від характеристик дефектів, а також і від умов дифракції. При цьому показано, що характер впливу дефектів на картину (величина і знак, тобто збільшення або зменшення яскравості) визначається результатом конкурентної дії різних дисперсійних ефектів. В результаті виявлення фазочутливих механізмів встановлено природу та на цій основі обгрунтовано принципово нову можливість використання знайдених особливостей прояву чутливості до характеристик дефектів повної інтегральної інтенсивності динамічної дифракції та відкритих її різких і структурно-чутливих залежностей від дифракційних умов для структурної багатопараметричної діагностики на фазо-варіативних принципах і при цьому в якості, як показано, найбільш чутливого, інформативного, експресного та простого методу.

Запропоновано теоретичну модель для опису тенденцій до формування локальних областей однорідного магнітного упорядкування в бінарних стопах заміщення з сильними електронними кореляціями, в яких тип і розмір таких областей визначаються переважно змінами електронної структури. До таких систем відносяться, зокрема, стопи на основі перехідних металів. Проведено числові розрахунки в узагальненій моделі Хаббарда для визначення областей магнітної однорідності при 0 К в цілком атомарно розупорядкованих ОЦК-стопах. Показано, що навіть за незмінних величин електронної концентрації та потенціалу кулонівського відштовхування електронів на одному вузлі можливі зміни як типу, так і в широких межах розмірів областей однорідної намагніченості за рахунок лише зміни концентрації компонент стопу. З'ясовано, що за певних концентрацій компонент стопу можливі обмеження на допустимі типи магнітного упорядкування у порівнянні з однокомпонентними системами. Поведінка багатокомпонентних магнітних кристалів є суттєво більш складною, а її опис має враховувати основні аспекти взаємного впливу атомної та магнітної підсистем через підлаштування під них електронної структури та їх під електронну структуру, що не лише висуває додаткові вимоги до відповідних теоретичних підходів, а й відкриває перспективи удосконалення та розвитку деяких традиційних і нових методів діагностики магнітних систем, зокрема, нейтронної та позитронної спектроскопій.

Узагальнено на випадок динамічно "товстого" кристалу модель для опису деформаційних залежностей повної інтегральної інтенсивності динамічної дифракції в монокристалах з мікродефектами декількох типів. Запропонована модель в явному вигляді враховує явище аномального проходження дифузної складової повної інтегральної інтенсивності динамічної дифракції. Виконані розрахунки демонструють можливість проведення кількісної оцінки характеристик хаотично розподілених дефектів за даним методом.

Досліджено вплив дефектів монокристалів на когерентну компоненту диференційної відбивної здатності за косонесиметричної дифракції рентгенівських променів у геометрії дифракції за Бреггом. Показано можливість значного поліпшення діагностичних можливостей фазоваріаційної динамічної дифрактометрії, яке зумовлюється впливом (особливо ефективним за асиметричної дифракції) умов експерименту на прояв дефектів великих розмірів у картині розсіяння. Продемонстровано можливість розділення внесків різного типу дефектів у дифраговану інтенсивність шляхом вибору оптимальних умов експерименту.

Надано історичний нарис створення й основних етапів розвитку Інституту металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, якому наприкінці 2020 року виповнилося 75 років. Викладено основні наукові напрями та досягнення вчених-металофізиків Інституту за останні десятиліття та зазначено перспективні напрями металофізичних досліджень в Україні.

23 квітня 2021 р. виповнилося 80 років видатному фізику-теоретику, двічі лауреату Державної премії України в галузі науки і техніки, заслуженому діячу науки і техніки України, члену-кореспонденту НАН України Вадиму Борисовичу Молодкіну.

В межах узагальненої однозонної моделі Хаббарда для бінарних стопів заміщення із сильними електронними кореляціями, що впорядковуються, встановлено зв'язок між магнітною фазовою діаграмою (МФД) та особливостями електронної структури атомно-розупорядкованих стопів з врахуванням близького та далекого магнітних порядків. Проведено числові розрахунки за температури 0 К густини електронних станів, вільної енергії, магнітних моментів та параметрів кореляції у їх орієнтації для атомно-розупорядкованих стопів у напівеліптичній моделі для початкової густини станів. Аналіз густини електронних станів показав, що напівеліптична модель цілком придатна для комплексного дослідження на якісному рівні взаємного впливу атомного і магнітного впорядкувань. Врахування далекого магнітного порядку загалом зберігає характер розподілу магнітних фаз на МФД, додаючи додаткові деталі в області антиферомагнітної фази. Показано, що антиферомагнітні стани з врахуванням впорядкування на далеких відстанях (з виділенням підгратниць) є енергетично більш вигідними за стани з антиферомагнітним упорядкуванням лише на близьких відстанях.

За допомогою методу когерентного потенціалу, що базується на кластерному розкладі для функції Гріна невпорядкованої системи, в межах однозонної моделі Хаббарда досліджено взаємоузгоджені атомне і магнітне близькі впорядкування у бінарних стопах заміщення з сильними електронними кореляціями за T = 0 К. В змінних U - n (потенціал кулонівського відштовхування - електронна концентрація) у напівеліптичній моделі для вихідної густини електронних станів побудовано магнітні (МФД) та атомні (АФД) фазові діаграми у випадку рівної концентрації компонент ОЦК-стопу. Встановлено, що за значень U, які перевищують значення для верхньої межі появи парамагнітної фази, в центральній частині МФД (в околі n = 1) статичні флуктуації зарядової та спінової густин призводять до різниці у величинах електронних концентрацій та магнітних моментів на атомах різного сорту, що сприяє пригніченню атомного упорядкування (сприяє атомному розшаруванню). У парамагнітній області атомному впорядкуванню за віддалення від n = 1 перешкоджає тільки збільшення різниці між значеннями концентрацій електронів на атомах різного сорту і спостерігається фазове розшарування згідно правил Юм - Розері. Магнітна підсистема стопу, як і у випадку однокомпонентних систем та цілком атомно-розупорядкованих стопів, зберігає тенденцію до реалізації антиферомагнітного впорядкування в центральній частині МФД (поблизу n = 1). Однак границі магнітних фаз зміщуються під впливом атомного впорядкування, порушуючи електрон-діркову симетрію МФД, характерну для однокомпонентних систем.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.313

Рубрики:

Дислокації

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ