Проведено математичне моделювання динамічних процесів в асиметричних квантоворозмірних лазерних гетероструктурах. Показано, що режими генерації регулярних пульсацій випромінювання на двох чи трьох рознесених довжинах хвиль можуть бути реалізовані в структурах з двома чи трьома квантовими ямами за умов відповідної конфігурації та легування активних і бар'єрних шарів. Встановлено суттєву залежність характеру осциляційних процесів від інжекційного зв'язку між квантовими ямами.

Проведено математическое моделирование динамических процессов в асимметричных квантоворазмерных лазерных гетероструктурах. Показано, что режимы генерации регулярных пульсаций излучения на двух или трех разнесенных длинах волн могут быть реализованы в структурах с двумя или тремя квантовыми ямами при подходящей конфигурации и легировании активных и барьерных слоев. Установлена существенная зависимость характера осцилляционных процессов от инжекционной связи между квантовыми ямами.

Mathematical modeling of dynamical processes in asymmetric quantum-well laser heterostructures has been performed. It has been shown that generation regimes of regular pulses at two or three remote optical wavelengths can be realized in bi- or triple-quantum-well structures having suitable configuration and doping of active and barrier layers. It is found that the character of oscillation processes is highly affected by the injection coupling between quantum wells.

Детально розглянуто потужнісні характеристики лазерів на асиметричних багатошарових квантоворозмірних гетероструктурах. Управління спектром лазерного випромінювання проаналізовано для зовнішнього резонатора з дифракційною граткою та перелаштувальним дзеркалом. Для підвищення та стабілізації потужності лазера у всьому діапазоні перебудови проведено оптимізацію дисперсійних характеристик резонатора. Для системи GaAs - AlGaAs ширина полоси підсилення сягає 50 нм в області довжин хвиль 820 нм і крива перебудови практично плоска у разі вихідної потужності порядку 4 мВт. За даних умов генерація здійснюється в одномодовому режимі без перескочення мод.

Детально рассмотрены мощностные характеристики лазеров на асимметричных многослойных квантоворазмерных гетероструктурах. Управление спектром лазерного излучения анализируется для внешнего резонатора с дифракционной решеткой и перестраивающим зеркалом.Для повышения и стабилизации мощности лазера во всем диапазоне перестройки проведена оптимизация дисперсионных характеристик резонатора. Для системы GaAs - AlGaAs ширина полосы усиления достигает 50 нм в области длины волн 820 нм и кривая перестройки практически плоская при выходной мощности порядка 4 мВт. При этом генерация осуществляется в одномодовом режиме без перескока мод.

Output power characteristics of asymmetric multiple quantum-well heterostructure lasers are examined in details. Control of emission laser spectra is analyzed for an external cavity with diffraction grating and tuning mirror. Dispersion characteristics of the cavity are optimized to enhance the laser power and to receive stable output in the whole of tuning range. In the GaAs - AlGaAs system, the width of the gain band reaches 50 nm near the wavelength of 820 nm and the tuning curve is practically flat at the output power about 4 mW. Therewith, the lasing occurs in a single-mode regime without mode hops.