З використанням трикристальної рентгенівської дифрактометрії досліджено тонкі плівки арсеніду галію. Встановлено, що для епітаксійних систем, як і для монокристалів, інтенсивність дифракції рентгенівських променів можна розділити на когерентну та дифузну складові. Комплексний аналіз характеру дифузного розсіювання (ДР) плівками GaAs, сильно легованими кремнієм, з використанням дифрактометрії високої роздільної здатності дозволив виявити в них мікродефекти різних розмірів і концентрацій, а також визначити їх тип. Уперше здійснено якісне порівняння експериментальних і розрахункових карт ізоліній ДР навколо вузлів структурного та квазізабороненого рефлексів. В окремих випадках (для перетинів просторового розподілу ДР) отримано кількісне узгодження теорії та експерименту.

Узагальнено результати експериментальних і теоретичних досліджень параметрів дефектної структури та композиційного складу (нестехіометрії) реальних бінарних кристалів, одержані під час аналізу інтегральних відбивних здатностей (ІВЗ), так званих, квазізаборонених відбиттів в області довжин хвиль безперервного спектра рентгенівських променів, де істотними є ефекти аномальної дисперсії. Проаналізовано товщинні й енергетичні (від довжини хвиль) залежності ІВЗ за допомогою статистичної динамічної теорії, яка не нехтує уявною частиною коефіцієнта Фур'є поляризованості в порівнянні з величиною дійсної частини цього параметра. Вперше одночасно одержано параметри структурної досконалості та величину відхилення будови кристала від стехіометричного стану, що свідчить про перевагу динамічного підходу для інтерпретації даних у порівнянні із застосуванням уявлення про можливість використання кінематичної теорії розсіювання.

Рассмотрена проблема магнитного экранирования подземных кабельных линий электропередач. Приведены конечно-элементные расчеты коэффициента экранирования для магнитного экрана участка муфтового соединения кабелей. Рассмотрены различные варианты геометрии экранов на основе современных сплавов с высокой магнитной проницаемостью. Получено хорошее согласие результатов расчета с экспериментальными данными для тестового примера экрана.