Розглянуто призначення, будову, функції, технічні характеристики, параметри, властивості, умовні зображення та класифікації твердотілих, вакуумних, газонаповнених дискретних елементів - комутаційних пристроїв, резисторів, конденсаторів, трансформаторів, вакуумних електронних ламп, фотоелектронних вакуумних приладів, напівпровідникових діодів та тиристорів, газорозрядних і негазорозрядних приладів. Показано особливості проектування, розроблено методи конструювання та розрахунку спеціалізованої елементної бази сучасних електронних апаратів, розглянуто приклади застосування запропонованих методик. Наведено опис напівпровідникових, гібридних та оптоелектронних інтегрованих мікросхем та конструкцій акустоелектронних, оптоелектронних, магнітоелектронних, термоелектричних, кріотронних, хемотронних, біоелектронних і молекулярних функційних пристроїв, а також функційних пристроїв із зарядовим зв'язком та на основі ефекту Ганна, визначено їх властивості, особливості будови, функціонування та застосування.

Рассмотрены назначение, строение, функции, технические характеристики, параметры, свойства, условные изображения и классификации твердотелых, вакуумных, газонаполненных дискретных элементов - коммутационных устройств, резисторов, конденсаторов, трансформаторов, вакуумных электронных ламп, фотоэлектронных вакуумных устройств, полупроводниковых диодов и тиристоров, газоразрядных и негазоразрядных устройств. Показаны особенности проектирования, разработаны методы конструирования и расчета специализированной элементной базы современных электронных аппаратов, рассмотрены примеры применения предложенных методик. Приведено описание полупроводниковых, гибридных и оптоэлектронных интегрированных микросхем и конструкций акустоэлектронных, оптоэлектронных, магнитоэлектронных, термоэлектрических, криотронных, хемотронных, биоэлектронных и молекулярных функциональных устройств, а также функциональных устройств с зарядовой связью и на основе эффекта Ганна, показаны их свойства, особенности строения, функционирования и применения.

Наведено загальні відомості про виробництво електронних апаратів та їх класифікації. Розглянуто питання контролю, аналізу та управління виробництвом, його підготовки до роботи, а також моделювання та оптимізації технологічних процесів. Описано системи управління виробничими підрозділами та процесами. Висвітлено особливості та правовий статус державних виробничих підприємств.

Даны общие сведения о производстве электронных аппаратов и их классификации. Рассмотрены вопросы контроля, анализа и управления производством, его подготовки к работе, а также моделирования и оптимизации технологических процессов. Описаны системы управления производственными подразделениями и процессами. Освещены особенности и правовой статус государственных производственных предприятий.

Проаналізовано доцільність побудови сенсорів мікроелектромеханічних систем на активних напівпровідникових елементах-діодах та транзисторах.

Досліджено вплив внутрішніх механічних напружень (ВМН) на частоту фільтрації та її часову стабільність в акустоелектронних фільтрах на поверхневих акустичних хвилях. Показано, що ВМН змінюють частоту фільтрації і знижують її часову стабільність. Запропоновано методи послаблення цих деформаційних ефектів.

Досліджено взаємозв'язок міцностей поверхневих покрить на зсув і відрив. Показано, що міцність на відрив приблизно в 3 - 4 рази є більшою за міцність на зсув.

Висвітлено історію становлення та діяльність кафедри електронних засобів інформаційно-комп'ютерних технологій Національного університету "Львівська політехніка". Охарактеризовано сучасні спеціальності, за яким кафедра готує спеціалістів. Наведено інформацію про викладачів, наукових співробітників і випускників кафедри, які зробили визначний внесок у розвиток радіотехнічної та електронної промисловості. Подано відомості про наукові публікації співробітників кафедри.

Освещены история становления и деятельность кафедры электронных средств информационно-компьютерных технологий Национального университета "Львовская политехника". Охарактеризованы современные специальности, по которым кафедра готовит специалистов. Дана информация о преподавателях, научных сотрудниках и выпускниках кафедрых, сделавших выдающийся вклад в развитие радиотехнической и электронной промышленности. Приведены сведения о научных публикациях сотрудников кафедры.

Проаналізовано вплив пружних деформацій на температурний коефіцієнт питомого опору плівкових провідників.

Досліджено вплив частоти сигналу, що обробляється, на точність параметрів пристроїв на поверхневих акустичних хвилях (ПАХ). Показано, що внаслідок наявності різниці величини приповерхневих і внутрішніх механічних напружень у разі збільшення частоти сигналу зменшується точність пристроїв на ПАХ. Запропоновано методи збільшення точності високочастотних пристроїв на ПАХ.

Висвітлено основні джерела виникнення концентраторів внутрішніх механічних напружень та їх вплив на деформаційні зміни когезії та адгезії поверхневих покриттів деталей.

Індекс рубрикатора НБУВ: З85-021.1

Рубрики:

Електроніка

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Викладено основні відомості про сучасні та перспективні елементи та компоненти електронних пристроїв. Наведено визначення різних видів елементів і компонентів, розглянуто їх призначення, класифікацію, умовні зображення та позначення, будову, роботу, властивості, застосування.

Викладено основні відомості про матеріали та пов'язані з ними технології, які використовуються в галузі створення електронних пристроїв. Розглянуто властивості матеріалів, а також технології створення та використання матеріалів.