Досліджено дифузію золота у германії під впливом енергії, що виділяється внаслідок рекомбінації атомів водню в молекули. Дифузію Au у Ge досліджували методом лазерної мас-спектроскопії, а також шляхом вимірювання поверхневого опору, часу життя неосновних носіїв заряду та спектрів пропускання в ІЧ-області. Запропоновано механізми стимулювання гетеродифузії та сприяючих процесів.

Вивчено процеси передачі енергії екзотермічної каталітичної реакції, що протікає на поверхні твердого тіла. На прикладі дифузії міді та нікелю в германії під дією атомарного водню показано можливість значного прискорення гетеродифузії в кристалах-каталізаторах при температурах, близьких до кімнатної. Дифузію міді та нікелю в германії досліджено методом вторинної іонної мас-спектрометрії, а також вимірюванням поверхневого опору. Запропоновано механізми стимулювання гетеродифузії і супровідних процесів.

Ключ. слова: кремний, поверхность, атомарный водород, потенциал поверхности, структура "металл-полупроводник"

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К232.104.3 + В378.26

Рубрики:

Структурні та фазові перетворення в міді та її сплавах

Тонкі шари металів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.030.022-18

Рубрики:

Металізація металів у вакуумі

Шифр НБУВ: Ж16166 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В378,5,022 + В378.221,022 + К663-18

Рубрики:

Фізика металів та металічних сплавів (металофізика)

Домішки. Дислокації

Захист металів від корозії покриттями

Шифр НБУВ: РА333739 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати теоретичного й експериментального дослідження дії атомарного водню на параметри тонкоплівкових структур. Висвітлено проблеми розвитку технології радикалорекомбінаційної обробки поверхні твердого тіла. Розглянуто фізичні основи методів плазмохімічної, плазмоворадикальної та водневої обробки поверхні твердого тіла. Описано електричні, фізичні, електрофізичні методи дослідження параметрів плівкових мікроструктур. Охарактеризовано фізичні процеси, що проходять під час взаємодії атомарного водню з поверхнею твердого тіла, зокрема, розпилення, стимулювання дифузійних процесів в приповерхневих шарах, дефектоутворення і модифікації поверхні, зміни структури металевих плівок. Наведено результати експериментального дослідження взаємодії атомарного водню з гетероструктурами на основі тонких плівок Cu, Ni, Ag, Au, In.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395

Рубрики:

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты экспериментального исследования действия атомарного водорода на гетероструктуры на основе Si и Ge. Показано, что обработка сопровождается изменениями вида ВАХ. Доминирующими процессами являются хемосорбция водорода на поверхности, модификация гетерограницы и диффузия атомов пленки в приповерхностные слои полупроводника.

Описан процессный подход к созданию системы управления техобслуживанием и ремонтом оборудования. Утверждено, что внедрение и использование автоматизированных систем управления является необходимым элементом реализации процессного подхода на крупном предприятии.

Представлены результаты исследования воздействия атомарного водорода на структуры Cu - Ge, Ni - Ge. Экспериментально показано, что обработка структур при комнатной температуре сопровождается внедрением атомов металла с аномально высокой концентрацией в приповерхностные слои толщиной до 1 мкм. Рассмотренный процесс может быть использован для создания омических контактов полупроводниковых устройств на основе структур «металл - полупроводник» с минимальным контактным сопротивлением.

Наведено результати експериментального та теоретичного дослідження впливу атомарного водню на структури Cu - Ge, Ni - Ge. Експериментально показано, що обробка структур за кімнатних температур супроводжується проникненням атомів металу з аномально високою концентрацією в приповерхневі шари товщиною до 1 мкм.

The article presents experimental results of the effect atomic hydrogen has on the Cu - Ge and Ni - Ge structures. It has been shown experimentally that the treatment of structures at room temperature is accompanied by the introduction of metal atoms with an abnormally high concentration in the surface layers of thickness up to 1 mm.

Приведены результаты экспериментального исследования процесса получения металлических нанопленок Ag, Cu, Au в среде атомарного водорода. Предложено два метода, позволяющих контролируемо получать пленки металлов толщиной 1 - 20 нм при вакууме в камере порядка 20 Па. В основе этих методов лежит процесс распыления атомов поверхности твердого тела, возникающий под действием энергии рекомбинации атомарного водорода в молекулярный.

Наведено результати експериментального дослідження процесу одержання металевих наноплівок Ag, Cu, Au в середовищі атомарного водню. Запропоновано два методи обробки, що дозволяють контрольовано отримувати плівки металів з товщиною 1 - 20 нм за вакууму в камері близько 20 Па. В основі цих методів лежить процес розпилення атомів поверхні твердого тіла, що виникає під дією енергії рекомбінації атомарного водню в молекулярний.

Due to their electrical properties, thin metallic films are widely used in modern micro- and nanoelectronics. These properties allow solving fundamental problems of surface and solid state physics. Up-to-date methods of producing thin films involve high vacuum or multi-stage processes, which calls for complicated equipment. The authors propose an alternative method of producing thin metallic films using atomic hydrogen. Exothermal reaction of atoms recombination in a molecule (about 4.5 eV / recombination act) initiated on the solid surface by atomic hydrogen may stimulate local heating, spraying and surface atoms transfer. We investigated the process of atomic hydrogen treatment of Cu, Ag and Au metal films, obtained by thermal vacuum evaporation. There are two methods of obtaining nanofilms using atomic hydrogen treatment: sputtering and vapor-phase epitaxy. In the first method, a film is formed by reducing the thickness of the starting film. This method allows obtaining a film as thick as the monolayer. In the second method, a nanofilm is formed by deposition of metal atoms from the vapor phase. This method allows obtaining a film thickness from monolayer to ~10 nm. These methods allow creating nanofilms with controlled parameters and metal thickness. Such films would be technologically pure and have good adhesion.

Викладено основні поняття та положення теоретичної, прикладної та законодавчої метрології. Узагальнено результати наукових досліджень і практичного досвіду у зазначеній галузі за останні роки в Україні та світі. Розглянуто етапи розвитку та еволюцію метрології, викладено основні поняття метрології, види та методи вимірювань. Особливу увагу приділено міжнародним метрологічним організаціям і державній метрологічній службі України. Як приклад вимірювань, розглянуто методи вимірювань параметрів напівровідникових кристалів та мікроструктур.