Проанализированы электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p-n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждены влияние параметров базовых материалов на основные технические характеристики и параметры диодов, а также возможные пути их улучшения.

The forming mechanisms of dark and light properties straightening structures with different type based on the indium and gallium monoselenides were considered.

Обсуждены оптоэлектронные свойства и возможности практического применения в сенсорах диффузионных слоев, полученных равновесным отжигом монокристаллических подложек халькогенидов кадмия и цинка в парах элементов I - VI групп таблицы Менделеева.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследованы спектральные и интегральные характеристики фотодиодов на основе монокристаллических подложек теллурида кадмия, прошедших обработку в водной суспензии щелочных металлов.

Індекс рубрикатора НБУВ: З997-5

Рубрики:

Ультрафіолетова техніка

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано влияние иттербия на люминесцентные свойства беспримесных кристаллов селенида цинка. Показано, что в спектрах излучения образцов ZnSe : Yb наблюдается только голубая полоса, имеющая экситонную природу и обладающая высокой температурной стабильностью.

Досліджено вплив ітербію на люмінесцентні властивості бездомішкових кристалів селеніду цинку. Показано, що в спектрах випромінювання зразків ZnSe : Yb спостерігається тільки блакитна смуга, яка має екситонну природу та високу температурну стабільність.

The problem of obtaining of effective edge luminescence with high temperature stability in the zinc selenide crystals is discussed. This task is solved by using as the dopant rare-earth element yttrium, which is introduced into the undoped ZnSe crystal by diffusion method. Doping was carried out in an evacuated to 10 –4 Torr. and a sealed quartz ampoule, in the opposite ends of which is a sample and a mixture of the crushed Yb and Se. It has been found that the diffusion coefficient of yttrium at a temperature of 1400 K is about 5•10 –7 cm 2/sec. It is shown that in the luminescence spectra of ZnSe:Yb samples in the temperature range 295-470 K only blue band is observed. Dependencies of parameters of this band from the excitation level are typical for the annihilation of excitons at their inelastic scattering by free carriers. The efficacy of blue radiation at 300 K is about 30% and does not fall more than twice with increasing temperature up to 470 K, indicating its high thermal stability.

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.16

Рубрики:

Друковані прилади та схеми

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проанализированы спектры фототока структур, полученных вакуумным напылением полупрозрачных слоев Ni на химически травленные подложки ряда полупроводников (Si, GaAs, GaP, CdTe и ZnSe) n-типа проводимости. Все структуры обладают фоточувствительностью в области энергий фотонов меньше ширины запрещенной зоны полупроводника при освещении как со стороны никеля, так и со стороны подложки. Оба эти спектральные участки, построенные в фаулеровских координатах, приводят к одинаковым значениям высоты потенциального барьера для каждого из исследуемых контактов Ni-полупроводник.