Комплексний інформаційно-бібліографічний сервіс Національної бібілотеки України імені В. І. Вернадського

Простий пошук

Розширений пошук

Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка

Тематичний інтернет-навігатор

Наукова електронна бібліотека

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання

Формат представлення знайдених документів:
повний	стислий

Знайдено в інших БД:

Книжкові видання та компакт-диски (4)

Пошуковий запит: (<.>A=Мостовий А$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 13
Представлено документи з 1 до 13

Категорія:

Мостовий А. І.
Оптичні властивості TiOVB2D:Mn до і після термічної обробки / А. І. Мостовий, П. Д. Мар'янчук, В. В. Брус // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2012. - № 2/13. - С. 19-22. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.030.022-18

Рубрики:
Металізація металів у вакуумі

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Мостовий А. І.
Вплив обробки підкладки на електричні властивості гетероструктур n-TiOVB2D/p-Si / А. І. Мостовий, В. В. Брус, П. Д. Мар'янчук // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2012. - № 6/12. - С. 47-50. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:
Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Мостовий А. І.
Вплив домішки CrVB2DOVB3D на ширину забороненої зони тонких плівок TiOVB2D / А. І. Мостовий, В. В. Брус, П. Д. Мар'янчук // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2013. - № 6/12. - С. 15-18. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.030.022

Рубрики:
Металізація металів у вакуумі

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Мостовий А. І.
Розробка гетероструктур на основі тонких плівок ТіОsub2/sub з домішками 3d-елементів для електронної техніки : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / А. І. Мостовий; Чернів. нац. ун-т ім. Ю. Федьковича. - Чернівці, 2014. - 20 c. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395 + З852-03

Рубрики:
Тонкі плівки
Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: РА408799 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Мостовий А. І.
Фізичні властивості тонких плівок TiOsub2/sub і TiOsub2/sub:Mn / А. І. Мостовий, В. В. Брус, П. Д. Мар'янчук, О. А. Парфенюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - 14, № 4. - С. 760-765. - Бібліогр.: 13 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + К663.030.022-1

Рубрики:
Тонкі шари напівпровідників
Металізація металів у вакуумі

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Солован М. М.
Вплив наноструктуризації кремнію на електричні та фотоелектричні властивості діод Шотткі Ni/n-Si / М. М. Солован, А. І. Мостовий, В. В. Брус, П. Д. Мар'янчук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : зб. наук. пр. - 2019. - 17, вип. 3. - С. 491-506. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:
Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Гетероструктури на основі тонких плівок оксидів металів із домішками 3d-елементів : [монографія] / П. Д. Мар'янчук, А. І. Мостовий, М. М. Солован, В. В. Брус; Чернів. нац. ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці : Рута, 2018. - 151 c. - Бібліогр.: с. 141-151 - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395 + З85-03

Рубрики:
Тонкі плівки
Електроніка

Шифр НБУВ: ВА823592 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Мар'янчук П. Д.
Електричні та фотоелектричні властивості діодів Шотткі графіт/n-Si виготовлених за методикою "олівець-на-напівпровіднику" / П. Д. Мар'янчук, М. М. Солован, Т. Т. Ковалюк, А. І. Мостовий, М. М. Грицюк // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2020. - 17, № 4. - С. 44-51. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:
Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Солован М. М.
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoOVBxD/n-CdVB1-xDZnVBxDTe / М. М. Солован, А. І. Мостовий, Г. П. Пархоменко, В. В. Брус, П. Д. Мар'янчук // East Europ. J. of Physics. - 2021. - № 1. - С. 34-42. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27 + В379.4

Рубрики:
Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж43925 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

10.

Тонкоплівкова електроніка : навч. посіб. / уклад.: М. М. Солован, А. І. Мостовий; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. - Чернівці : Чернівец. нац. ун-т ім. Юрія Федьковича : Рута, 2021. - 127, [1] c. - Бібліогр.: с. [128] - укp.

Наведено теоретичні основи технологій для отримання тонких плівок різного складу та призначення. Описано конструктивні особливості устаткування для вакуумних систем і пристроїв для напилення тонких плівок. Описано умови росту тонких плівок та процес зародкоутворення плівок. Наведено принципи роботи тонкоплівкових приладів різного призначення.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395 я73-1 + В372.6 я73

Рубрики:

Тонкі плівки

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: ВА852499 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка

11.

Солован М. М.
Фоточутливі діоди Шотткі графіт/n-Si, виготовлені методом електронно-променевого випаровування / М. М. Солован, Г. М. Ямрозик, А. І. Мостовий, В. В. Брус, П. Д. Мар'янчук // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : зб. наук. пр. - 2021. - 19, вип. 4. - С. 823-830. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.

Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка

12.

Курищук С. І.
Вплив товщини плівки графіту на електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів типу діодів Шотткі графіт/n-Si / С. І. Курищук, А. І. Мостовий, І. П. Козярський, М. М. Солован // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2022. - 19, № 3. - С. 30-37. - Бібліогр.: 13 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:
Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

13.

Наноструктуровані вуглецеві матеріали для приладів багатофункціональної оптоелектроніки : [монографія] / М. М. Солован, А. І. Мостовий, С. І. Курищук, Г. П. Пархоменко, В. В. Брус; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. - Чернівці : Чернівец. нац. ун-т ім. Юрія Федьковича : Рута, 2023. - 215 c. - Бібліогр.: с. 199-215 - укp.

Розглянуто фізичні властивості тонких плівок графіту та шарів графену. Досліджено електричні, фотоелектричні та ємнісні властивості гетеропереходів на основі отриманих плівок з метою визначення домінуючих механізмів струмопереносу при прямому і зворотному зміщеннях. Проаналізовано фізичних властивостей вуглецевих матеріалів (наноструктурованих графітових плівок та графену) і новітніх електронних, приладів на їх основі. Детально вивчено фізичні властивості плівок графіту, виготовлених методом "олівець-на-напівпровіднику" та методом електронно-променевого випаровування. Досліджено багато гетеропереходів типу діодів Шотткі на основі плівок графіту та монокристалів Si, СdТе, СdZnТе, ІnР та SiС. Описано методику вирощування графену великої площі методом хімічного осадження з парової фази, з’ясовано його властивості й показано можливості його застосування в оптоелекгронних приладах.

Індекс рубрикатора НБУВ: З861-03 + Л424.52

Рубрики:

Оптоелектроніка

Електровугільні та графітові вироби

Шифр НБУВ: ВА862772 Пошук видання у каталогах НБУВ