![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Панков Ю$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
| | | | |
1. |
Дружинін А. О. Розробка системи обробки інформації з мікроелектронних сенсорів на основі КНІ-структур / А. О. Дружинін, С. М. Матвієнко, Ю. М. Панков // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2005. - № 532. - С. 48-53. - Бібліогр.: 4 назв. - укp.Описано тенденції розвитку сучасних вимірювальних пристроїв і перспективи використання систем збору та обробки інформації на базі мікроконтролерів фірми CYPRESS для розробки інтелектуальних сенсорів механічних величин. Наведено переваги реалізації сенсорів на базі цих систем над відомими сенсорами. Надано багатофункційний сенсор тиску-температури з цифровою оброкою вимірювальної інформації та передачею її на персональний комп'ютер. Як первинні перетворювачі використано КНІ-структури, які містять міст із чотирьох полікремнієвих п'єзорезисторів та одного терморезистора. Індекс рубрикатора НБУВ: З852
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Панков Ю. М. П'єзоопір у тонких шарах і мікрокристалах кремнію та германію p-типу провідності і сенсори на їх основі : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.01 / Ю. М. Панков; Держ. ун-т "Львів. політехніка". - Л., 1999. - 18 c. - укp.Роботу присвячено комплексному експериментальному і теоретичному вивченню п'єзоопору в Si та Ge p-типу провідності для розробки на даній основі сенсорів механічних величин. Проведено теоретико-групову класифікацію деформаційних ефектів у алмазоподібних напівпровідниках і встановлено дозволені фізичні моделі п'єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Досліджено п'єзоопір у широкому діапазоні різнополярних деформацій 1,2 %... + 1 % і визначено деформаційні залежності їх констант п'єзо- та еластоопору. Доведено, що у деформованих Si та Ge важкі та легкі дірки характеризуються наборами ефективних мас, зумовлених енергією та деформацією. Розглянуто взаємозв'язок п'єзоопору та структури у тонких шарах Si та Ge. Істотного покращання характеристик сенсорів досягнуто завдяки використанню лазерно-рекристалізованих КНІ(кремній-на-ізоляторі)-структур. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371,7,022 + В379.271.21,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА307913 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|