1. |
Панфілов М. І. Переходи між потенціальними ямами в аморфних напівпровідниках, стимульовані вільними електронами провідності / М. І. Панфілов, В. Г. Ляпін, Г. Є. Чайка, А. Ю. Кобринський // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 8. - С. 856-858. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.We consider atomic transitions in the Anderson lattice in amorphous semiconductors accompanied by сhanging an atomic charge state. The conditions are calculated under which these transitions will depend not only on temperature but also on the excitation degree of the electron subsystem of a crystal. In this case, one could exert control over the Anderson lattice in amorphous semiconductors by using external actions (heating, irradiation, etc.). Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.271.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|