Індекс рубрикатора НБУВ: В372.313

Рубрики:

Дислокації

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследована частотная зависимость дислокационного декремента затухания продольного ультразвука в монокристаллических образцах KBr с остаточной деформацией 0,75 % в области частот 7,5 - 217,5 МГц и температурном интервале 77 - 300 K. Из частотных спектров определен температурный ход коэффициента эффективной вязкости B, который хорошо согласуется как с теорией, так и с данными, полученными на таких же кристаллах с остаточной деформацией 0,23 %. Приведены результаты исследования влияния предварительной пластической деформации на микроскопический предел упругости и внутреннее трение никеля и меди. Установлена взаимосвязь структуры, микроскопического предела упругости и внутреннего трения. Оценена роль механизма микропластической деформации в формировании демпфирующей способности материала.

Описана импульсная ультразвуковая установка, предназначенная для исследования затухания и скорости распространения упругих волн в кристаллах при различных внешних факторах, включая влияние температуры и деформации. Установка позволяет производить измерения указанных акустических параметров методом селекции импульсов в области частот 7,5 - 232,5 МГц с одновременной записью кривой нагружения.

Досліджено закономірності фонон-дислокаційної взаємодії та взаємодії дислокації з центрами закріплення в монокристалах KBr. Встановлено, що за ступенів деформації 0,23 - 1,5 % константа гальмування не залежить від густини рухливих дислокацій та визначається дисипативними поцесами в фононній підсистемі кристала. Вивчено залежність константи демпфування від температури в рамках теорії динамічного гальмування дислокацій Альшиця - Індебома. Встановлено, що в дослідженому інтервалі температур (77 - 300 К) фононне гальмування дислокацій визначається суперпозицією механізмів фононного вітру та релаксації "повільних" фононів, причому внесок фононного вітру є превалюючим. Проведено термоактиваційний аналіз процесу відриву дислокацій від стопорів на початковій стадії деформування кристала (в квазіпружиній області деформацій). Визначено енергію активації та активаційний об'єм згаданого процесу, на підставі чого встановлено силовий закон взаємодії дислокацій і домішкових центрів закріплення.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.7

Рубрики:

Радіаційні ефекти у твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.331

Рубрики:

Фонони

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.26

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вивчено проблему фонон-дислокаційної взаємодії, взаємодії дислокацій з центрами закріплення, радіаційними дефектами та дислокаціями "лісу" у лужно-галоїдних кристалах. У межах використання методів фізичної акустики вивчено динамічні та структурні характеристики кристалів, доведено незалежність константи демпфірування від густини дислокацій для різних температур інтервалу 77 - 300 К і різних доз рентгенівського опромінення. Запропоновано методику визначення абсолютної величини константи демпфірування та її температурного ходу за температурою Дебая кристала. У межах використання абсорбційного методу та термоактиваційного аналізу вивчено природу радіаційних центрів (F-центри) та точкових стопорів (тетрагональні дефекти) у кристалах і динаміку їх взаємодії з дислокаціями. Проаналізовано якісну та кількісну відповідність результатів вивчення динамічних і структурних характеристик у області низьких (дослідження частотних залежностей дисперсії швидкості ультразвуку) та високих частот (дослідження частотних спектрів дислокаційного поглинання УЗ-хвиль).

Звернено увагу на питання переходу від електроніки до оптоелектроніки. Наведено класифікацію оптико-електронних приладів, схеми та методи їх роботи. Розглянуто оптичні елементи та системи оптико-електронних приладів, а також лазерні системи та їх застосування у різних сферах діяльності людини.