Створено й експериментально досліджено як перемикальний елемент квазічастинковий кріотрон на базі тунельного переходу з надпровідників. Доведено, що модуль його коефіцієнта підсилення потужності можна зробити більшим за одиницю.

Проведено порівняльний аналіз вольт-амперних характеристик надпровідних тунельних переходів з непружними ефектами в них, створених з використанням високо- та низькотемпературних надпровідників. Показано, що на вольт-амперних характеристиках тунельних переходів на базі високотемпературних надпровідників спостерігаються особливості, пов'язані з існуванням в досліджуваних тунельних переходах внутрішньощілинних зв'язаних станів, поява яких обумовлена анізотропією параметра порядку в них. Показано, що експериментальне дослідження параметра порядку в надпровідниках за допомогою вольт-амперних характеристик тунельних переходів з непружними ефектами в них не може проводитися без урахування впливу непружних ефектів на нього.

У широкому діапазоні температур від гелієвих до кімнатних виконано детальні вимірювання спектрів провідності плівкових структур типу метал - ізолятор - метал з оксидом хрому як діелектричного прошарку. Показано, що аномальна поведінка парної частини диференціальної провідності як функції прикладеної до контакту напруги обумовлюється непружною взаємодією тунелюючих електронів з магнітними збудженнями в оксиді хрому. Одержані дані непрямо підтверджують аналогічну гіпотезу, висунуту раніше для пояснення лінійного ходу парної частини провідності тунельних структур на базі високотемпературних надпровідникових купратів.

Створено надпровідникові тунельні переходи NbN - I - Pb, Sn - I - Pb, вольт-амперні характеристики яких мають ділянки з від'ємним диференціальним опором. Наведено їх вольт-амперні характеристики. Проаналізовано стійкість струмових станів цих надпровідникових тунельних переходів методом дослідження стійкості рухів Ляпунова. Визначено критерії стійкості струмових станів надпровідникових тунельних переходів у процесі вимірювання їх вольт-амперних характеристик.

Предложен квазичастичный криотрон как основа для создания сверхпроводникового транзистора.

У рамках моделі Блондера - Тінкхема - Клапвіка (БТК) розглянуто вплив андріївського відбиття квазічастинок на протікання електричного струму через тунельні переходи типу надпровідник - ізолятор - феромагнетик (S - I - F) з високою прозорістю бар'єра. Показано, що відношення сигнал/шум можна збільшити для клітинки пам'яті, яка використовує двобар'єрний тунельний контакт феромагнетик - ізолятор - надпровідник - ізолятор - феромагнетик замість звичайного тунельного контакту феромагнетик - ізолятор - феромагнетик. Описано зміну нелінійних (тунельного типу) вольт-амперних характеристик переходів у разі збільшення прозорості бар'єра.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: джозефсоновская электродинамика, уравнение Феррелла - Прейнджа, зависимость ток - фаза параметра порядка, поле Нс1, глубина проникновения
Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.2

Рубрики:

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: сверхпроводник, туннелирование, параметр порядка, квазичастица, неупругое рассеивание, неупругое туннелирование
Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31 + К225.026 + К232.402.6

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Тонкі шари (плівки) хрому та його сплавів

Тонкі шари (плівки) свинцю та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: вольт-амперные характеристики, туннельные контакты, одночастичный эффект близости, уравнения Боголюбова - де Женна, квазичастичный ток
Індекс рубрикатора НБУВ: В314

Рубрики:

Квантова механіка

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою розв'язку рівняння Боголюбова - де Жена в наближенні однорідних надпровідників у межах підходу Блондера - Тінкхема - Клапвіка (ВТК) проведено комп'ютерне моделювання вольтамперних характеристик тунельних переходів NbN - I - Pb для випадку неоднорідних тунельних бар'єрів. Установлено, що комп'ютерне моделювання за цим методом дозволяє врахуванням андріївського відбиття квазічастинок відновлювати функцію розподілу ймовірностей виникнення в переході ділянок тунельного бар'єра з різною прозорістю.

Ключ. слова: высокотемпературный сверхпроводник, наноструктура, резонансное туннелирование, тонкие пленки
Індекс рубрикатора НБУВ: В368.2 + В371.236

Рубрики:

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Впервые в микроволновом диапазоне исследованы покрытия Al - Cu - Fe, содержащие квазикристаллическую фазу. Результаты микроволновых измерений в диапазоне температур 293 - 110 К указывают на то, что однофазное квазикристаллическое покрытие имеет отрицательный коэффициент электросопротивления и удельное электросопротивление на 2 - 3 порядка выше, чем у чистой меди. Установлено, что удельное сопротивление гетерофазных образцов увеличивается при повышении содержания квазикристаллической фазы. Показано, что микроволновые измерения можно применить как неразрушающий экспресс-метод структурного мониторинга покрытий сплавов системы Al - Cu - Fe.

Ключ. слова: неразрушающий контроль, микроволновые измерения, упрочняющие и защитные покрытия, тонкие пленки, скин-слой
Індекс рубрикатора НБУВ: К5-7с108 + К5-7с3

Рубрики:

Загальна технологія машинобудування. Обробка металів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

В диапазоне температур 4,2 - 87 К в отсутствие внешнего магнитного поля исследованы широкие мостики на основе тонких квазимонокристаллических пленок YBCO. Показано, что вихревое состояние существует в резистивном состоянии во всем исследованном диапазоне температур. При низких температурах обнаружены линии проскальзывания фазы (ЛПФ), фиксируемые на ВАХ в виде ступенек. При 4,2 К обнаружены ступеньки напряжения, обусловленные джозефсоновской генерацией, связанной с осцилляцией параметра порядка в ЛПФ. Обнаружен гистерезис на ВАХ, который можно связать с перегревом электронной подсистемы в ЛПФ.

Исследованы вольт-амперные характеристики и проанализированы особенности становления и эволюции сверхпроводящего состояния микромостиков на основе тонких пленок свинца под действием туннельной инжекции спин-поляризованного тока с разной степенью спиновой поляризации. Обнаружена высокая чувствительность критического тока микромостика к величине спин-поляризованного тока инжекции. Впервые в системе F/S обнаружена стимуляция критического тока сверхпроводникового микромостика под действием слабой туннельной инжекции спин-поляризованного тока с высокой степенью спиновой поляризации.

Влияние спин-поляризованного тока на вольт-амперные характеристики (ВАХ) контактов типа ферромагнетик - изолятор - сверхпроводник изучено в рамках модели Блондера - Тинкхама - Клапвика. Описана эволюция ВАХ с возрастанием прозрачности контакта и при изменении степени спиновой поляризации электронов. Показано, что исследование ВАХ таких контактов позволяет оценивать степень спиновой поляризации электронов в ферромагнетике.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л712.212

Рубрики:

Політетрафторетилен

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Для комплексных исследований вольтамперных характеристик (ВАХ) полу- и сверхпроводниковых пленочных гетероструктур в широком температурном интервале при воздействии токовой инжекции, магнитного поля и оптического излучения создан компьютеризированный информационно-измерительный криокомплекс, не имеющий мировых аналогов. Предлагаемый криокомплекс позволяет проводить прецизионную стабилизацию температуры образцов в диапазоне 1,6 ÷ 330 K, воздействовать магнитным полем индукцией до 2 Тл, проводить измерение ВАХ с возможностью управления током "накачки", что особо важно при исследовании транзисторных структур. Программное обеспечение компьютера позволяет автоматизировать согласованную работу модулей комплекса, а также обработку, сохранение и выдачу данных измерений в необходимом виде.