Роботу присвячено проблемі моделювання лазерів із вертикальним резонатором з метою оптимизації методів розрахунку характеристик. Розраховано характеристики лазерів з імплантованим шаром на основі AlGaAs/GaAs за допомогою методу хвильового ширення та системи швидкісних рівнянь. Одержано модуляційні характеристики, проведено аналіз залежності довжини хвилі випромінювання від температурного коефіцієнта підсилювання, досліджено вплив температури на ширину полоси модуляції.

Запропоновано метод обліку температурної залежності лазера для моделі, яка враховує розподіл носіїв заряду й оптичного поля в резонаторі напівпровідникового лазера з вертикальним резонатором. Розв'язання температурного рівняння отримано з використанням функцій Гріна.

Представлен метод учета температурной зависимости лазера для модели, учитывающей распределение носителей и оптического поля внутри резонатора полупроводникового лазера с вертикальным резонатором. Решение температурного уравнения получено с использованием функций Грина.

The laser temperature dependence accounting method for the model is presented taking into account the carriers and optical field distribution inside the cavity of vertical cavity semiconductor laser. The thermal equation solution is obtained with Green function.

Подано програмний пакет для моделювання напівпровідникових лазерних структур, призначених для використання в оптоволоконних системах зв'язку. Розроблений пакет дозволяє проводити моделювання та дослідження динамічних і статичних характеристик багатосекційних лазерів і лазерiв із вертикальним резонатором. Використані моделі побудовано на базі систем диференціальних рівнянь та використанні методу хвильового розповсюдження.

Представлен программный пакет для моделирования полупроводниковых лазерных структур, предназначенных для использования в оптоволоконных линиях связи. Созданный пакет позволяет моделировать и исследовать динамические и статические характеристики многосекционных лазеров и лазеров с вертикальным резонатором. Использованные модели построены на базе систем дифференциальных уравнений и применении метода волнового распространения.

The software tool for semiconductor laser structures modeling, used in telecommunication system is described. Developed project is created for modeling and research of dynamical and steady state characteristics MQW laser structures and VCSEL's. The models based on rate equation systems and finite-element beam propagation method.

Рассмотрены физические основы работы, конструктивно-технологические основы исполнения, методов и средств управления, и также применение плоских активных индикаторных устройств на основе тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторных элементов.