Розроблено новий напрямок контролю та захисту навколишнього середовища за допомогою напівпровідникових матеріалів за умов впливу полів ближніх зон та нових видів випромінювань. Наведено математичні методи оцінки електромагнітного стану виробничих приміщень і довкілля, визначено характерні траси та точки контролю рівня електромагнітного поля (ЕМП). Розроблено теорію визначення контрольованих параметрів захисних матеріалів. Встановлено, що коефіцієнт екранування напівпровідникових матеріалів залежить від типу джерела випромінювань та його відстані до екрана. Визначено, що коефіцієнт екранування неоднорідних екранів для несинусоїдальних сигналів набагато нижчий на відміну від даного коефіцієнта для гармонічних сигналів. Запропоновано нові організаційні та технічні методи зниження рівнів ЕМП та методи контролю якості захисту.