Викладено основи розробки та застосування методів автоматизованого наскрізного моделювання на всіх ланках сучасного електронного виробництва, від постановки задачі на моделювання до перевірки якості готового приладу. Висвітлено необхідність і можливість розробки усіх моделей з єдиних системних позицій з використанням досягнень нових інформаційних технологій.

На єдиних системних засадах розглянуто фізичні процеси, характерні для оптоелектронних об'ємних і інтегральних приладових структур. На їх підставі проаналізовано конструктивні та технологічні особливості основних типів оптоелектронних приладів. Описано електромагнітні властивості світла, наведено елементи геометричної оптики, а також джерела оптичного випромінювання.

С учетом системных позиций рассмотрены основы физических процессов, характерные для оптоэлектронных объемных и интегральных структур приборов. На их основе проанализированы конструктивные и технологические особенности основных типов оптоэлектронных приборов. Описаны электромагнитные свойства света, приведены элементы геометрической оптики. Освещены источники оптического излучения.

Викладено основи аналізу та дослідження сучасних оптоелектронних приладів. Розглянуто оптичні випромінювачі (світлодіоди, лазери) та напівпровідникові фотоприймачі (-резистори, -діоди, -транзистори, -тиристори).

Изложены основы анализа и исследования современных оптоэлектронных приборов. Рассмотрены оптические излучатели (светодиоды, лазеры) и полупроводниковые фотоприёмники (-резисторы, -диоды, -транзисторы, -тиристоры).

Розроблена проста і досить точна (похибка до 10 ) статична модель двозатворного польового транзистора на основі структури метал-діелектрик-напівпровідник, що призначена для аналізу МДП великих інтегральних схем на підставі внутрішніх параметрів структури. Отримано вираз для вольт-амперних характеристик польового тетрода в ненасиченому і насиченому режимі з урахуванням польової залежності рухливості, а також для напруги насичення.

Розроблено аналітичну модель крутості двозатворного польового транзистора, призначену для аналізу його підсилювальних властивостей на основі внутрішніх параметрів транзисторної структури. Математичні вирази отримано з урахуванням польової залежності рухливості носіїв заряду. Це дало можливість забезпечити похибку моделювання від 6 до 25 %.

Розроблено математичну модель передатних характеристик двозатворного польового транзистора, призначену для аналізу перетворювачів частоти. Математичні вирази отримано з урахуванням ефективності першого та другого затворів. Похибка моделювання 5-10 %.

Розглянуто деякі фізичні аспекти моделювання процесу іонної імплантації іонів фосфору в монокристалічній кремній у випадку середніх енергій імплантованих іонів. Запропоновано спрощену методику перебування проеційованих пробігів імплантованих іонів фосфору із середніми енергіями в монокристалічній кремнієвій мішені, що відрізняється високою точністю.