Рассмотрены хорошо адаптированная к стандартам ЕСКД система обработки графической информации КОМПАС (КОМПплект Автоматизированых Систем), а также ее более простая версия КОМПАС - 2D (система создания плоского чертежа). Приведены базовые приемы и методы работы в системе: настройки под конкретного пользователя, с геометрическими примитивами. Освещены особенности редактирования и оформления чертежа, созданного с помощью данной системы.

Рассмотрены общие принципы и терминология, используемые в графическом пакете КОМПАС. Приведена пошаговая методика работы в данной системе при оформлении конструкторской документации.

Исследован процесс формирования Т-образного затвора в малошумящих полевых транзисторах миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Предложена технологическая схема формирования Т-образного затвора, основанная на использовании электронно-лучевого экспонирования трехслойной резистивной структуры, состоящей из двух слоев электронного резиста, разделенных тонким слоем металла. Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8 - 1,0 мкм.

Process of formation of the T-shaped gate for low noise field effect transistors of a millimetric and sub-millimetric ranges of wave lengths. The technology of formation of the T-shaped gate is based on use of electron beam exhibiting of the three-layer resistive structure consisting of two layers electronic resists, divided by a thin metal layer. Experimental samples of transistors with T-shaped gates in height 1,1 microns, length of the bottom part 0,15 microns and the top part 0,8-1,0 microns arereceived.

Освещена жизнь и деятельность доктора юридических наук профессора И.Е. Середы. Даны сведения о его административной, научной и педагогической деятельности на кафедре аграрного, земельного и экологического права Одесской национальной академии. Проведен обзор основных направлений научных исследований ученого. Рассмотрены научные труды И.Е. Середы, посвященные изучению права приусадебного землепользования колхозного двора, личных и имущественных прав и обязанностей колхозников.

Рассмотрена возможность получения рельефных микроструктур (РМС) на кремниевых подложках. Показано, что полученные РМС можно использовать для записи, тиражирования и хранения информации как в цифровом, так и в аналоговом виде. Для получения микроструктур использован способ электронно-лучевой литографии.

Рассмотрена возможность формирования информационного рельефа в оксиде кремния, выращенном на массивном монокристаллическом кремнии. Для получения микрорельефа использован способ электронной литографии и химического травления. Для дополнительного повышения твердости, износостойкости и химической стойкости штампа предложен способ нанесения на поверхность кремния тонкой пленки карбида кремния. Обсуждено использование полученного штампа для прямого мастеринга оптических носителей информации и для долговременного хранения данных.

Визначено, що сила, з якою імпульс підвищеного тиску впливає на частку забруднювача, залежить не тільки від амплітудного значення тиску, але й від величини відношення часу наростання імпульсу до часу, за який збурювання в рідині розповсюджується на відстань, рівну розміру частки.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г595 + В333.321

Рубрики:

Тліючий розряд

Шифр НБУВ: Ж29137 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены вопросы практического применения и теоретической интерпретации зондовых измерений в низкотемпературной плазме. Уделено внимание зондовым измерениям в неподвижной плазме низкого, высокого и промежуточных давлений при отсутствии магнитного поля. Обоснованы применение и интерпретация теории зондов в пылевой плазме и в плазме с магнитным полем. Даны рекомендации для практического определения параметров плазмы.