Індекс рубрикатора НБУВ: В374 + В368.32

Рубрики:

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Фізика рідкого гелію

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.32

Рубрики:

Фізика рідкого гелію

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Предложен подход для расчета химического потенциала тонкой гелиевой пленки, находящейся в равновесии с паром. При расчете химического потенциала поверхностный слой атомов гелия, контактирующий с паром, рассматривается как двумерная система. Химический потенциал сверхтекучего гелия аппроксимируется химическим потенциалом идеального двумерного бозе-газа, а химический потенциал нормального гелия содержит дополнительную по сравнению со сверхтекучим гелием величину, зависящую от температуры. В рамках подхода предсказано увеличение толщины пленки при ее переходе в сверхтекучее состояние. Предсказано также, что при некоторых условиях возможно сосуществование нормальной и сверхтекучей пленок с различными толщинами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.32

Рубрики:

Фізика рідкого гелію

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.32

Рубрики:

Фізика рідкого гелію

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.1

Рубрики:

Електричні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Висвітлено історію економіки та економічних вчень від їх зародження до сучасного періоду, зокрема, Стародавнього Сходу, античного періоду та епохи феодалізму, ідей меркантилізму. Розглянуто питання становлення ринкової економіки, формування класичної політичної економії, розвитку марксистської економічної теорії, маржиналізму та формування неокласичної теорії. Проаналізовано основні напрями сучасної економіки, описано теорію добробуту, підприємництва та ефективної конкуренції Й. Шумпетера, економічного циклу К. Вікселя, монополії Е. Чемберліна і Д. Робінсона, макроекономічну теорію Д. Кейнса, неокласичний синтез Д. Хікс і П. Самуельсон, неоавстрійську школу та німецький неолібералізм, неоконсерватизм та інституціоналізм.

Освещена история экономики и экономических учений от их зарождения до современного периода, в частности, Древнего Востока, античного периода и эпохи феодализма, идей меркантилизма. Рассмотрены вопросы становления рыночной экономики, формирования классической политической экономии, развития марксистской экономической теории, маржинализма и формирования неоклассической теории. Проанализированы основные направления современной экономики, описаны теория благосостояния, предпринимательства и эффективной конкуренции И. Шумпетера, экономического цикла К. Викселя, монополии Э. Чемберлина и Д. Робинсона, макроэкономическая теория Д. Кейнса, неоклассический синтез Д. Хикс и П. Самуэльсон, неоавстрийская школа и немецкий неолиберализм, неоконсерватизм и институционализм.

Висвітлено питання історії економічної думки від стародавніх часів до сьогодення. Розкрито особливості становлення та розвитку провідних економічних концепцій. Охарактеризовано основні теорії та школи економічної теорії з урахуванням сучасних уявлень про закономірності економічного та соціального розвитку суспільства. Подано інформацію про економічні концепції часів Арабського халіфату, історичні умови виникнення меркантилізму, економічне вчення Ф. Кене, метологію А. Сміта, теорію виробництва Дж. С. Мілля, економічні ідеї Т. Р. Мальтуса, принцип історичного матеріалізму, теорію державного соціалізму, американський маржиналізм, теорію економічного циклу К. Вікселля. Увагу приділено теоретичним проблемам управління економічною системою, зокрема, макроекономічній теорії Дж. М. Кейнса, нео- та посткейнсіанству, неоконсерватизму та неолібералізму, теоріям індустріалізму, ідеям технологічної трансформації суспільства.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.12

Рубрики:

Електропровідність. Електричний опір

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Экспериментально исследованы фазовые переходы в двумерном (2D) электронном кристалле над жидким гелием, вызванные электрическим полем в плоскости электронного слоя (динамические переходы). Проведено сравнение со сверхтекучим переходом в тонких гелиевых пленках в нелинейных условиях (при больших скоростях подложки). Установлено качественное соответствие между переходами. Поскольку плавление двумерного кристалла и сверхтекучий переход в двумерной пленке относятся к одному типу фазовых переходов, то найденное соответствие указывает на то, что динамический фазовый переход в 2D электронном кристалле может рассматриваться как нелинейное, или динамическое плавление.

Дан обзор современного состояния экспериментальных и теоретических исследований вигнеровской кристаллизации двумерного электронного газа. Вигнеровский кристалл (ВК) впервые обнаружен экспериментально в двумерной электронной системе на поверхности жидкого гелия в 1979 г. Этому успеху способствовали исключительная чистота свободной поверхности сверхтекучей жидкости и возможность достаточно точного описания деформационных явлений поляронной природы, сопутствующих кристаллизации электронов. Для наблюдения вигнеровской кристаллизации в полупроводниковых двумерных электронных системах потребовались очень чистые образцы гетероструктур (GaAs/GaAlAs) и сильные магнитные поля, облегчающие локализацию электронов в проводящем слое. Обсуждаются основные свойства двумерного ВК, присущие обеим вышеупомянутым электронным системам, а также главные достижения в изучении транспортных свойств ВК, обусловленных реакцией окружающей среды на движение электронной решетки.

Предлагается и изучается посредством численного моделирования новый алгоритм для организации управления в высокоразрешающих управляемых оптических системах, основанных на прямой оптимизации критерия качества. Алгоритм использует модифицированную версию техники градиентного спуска на основе параллельных стохастических пертурбаций с адаптивной статистикой, и результаты моделирования подтверждают эффективность этого алгоритма.

Исследованы динамические переходы в двумерном вигнеровском кристалле над поверхностью жидкого гелия в условиях неполной экранировки прижимающего потенциала. Обнаружено, что критическое электрическое поле, вызывающее переход, зависит от поверхностной плотности электронного слоя и не зависит от прижимающего поля. Предполагается, что динамический переход связан в первую очередь с разрушением пространственного порядка в системе, ведущего к делокализации электронов и, как следствие, изменению особенностей электрон-риплонного взаимодействия.

Проведено моделирование низкоразмерной системы электронов над жидким гелием. Показано, что включение дополнительного потенциала в плоскости слоя зарядов приводит к сжиманию системы в направлении действия возникающей внешней силы. Такой потенциал появляется при экспериментальной реализации системы поверхностных электронов над профилированной подложкой, где он пропорционален прижимающему электрическому полю. Установлено, что при этом система, последовательно проходя через конфигурации из нескольких линейных цепочек, переходит от состояния двумерного электронного кристалла к зигзагообразному расположению зарядов, ранее предсказанному Чапликом. При дальнейшем увеличении прижимающего поля система перестраивается в одиночную линейную цепочку. Методом уравнений движения рассчитаны законы дисперсии коллективных плазменных колебаний зигзагообразной конфигурации электронов. Одна из продольных ветвей колебаний является акустической, вторая - оптической. Обе поперечные ветви колебаний - оптические. Проведено сравнение результатов с ранее полученными законами дисперсии для одиночной цепочки электронов. Показано, что законы дисперсии поперечных плазменных колебаний более устойчивы, чем поперечная ветвь колебаний одиночной цепочки. Исследовано влияние магнитного поля на спектр плазменных колебаний зигзагообразной конфигурации электронов.

Продолжено экспериментальное исследование обнаруженного ранее резкого изменения проводимости электронного кристалла в условиях неполной компенсации прижимающего потенциала. Для объяснения наблюдаемого поведения проведено моделирование процесса измерения методом молекулярной динамики. Показано, что наблюдаемый отклик электронного кристалла в условиях неполного прижимающего напряжения связан не с изменением проводимости электронного слоя, как предполагалось ранее, а с особенностями емкостных измерений транспортных характеристик двумерной электронной системы.

Методом молекулярной динамики проведено моделирование токовых процессов в пространственно упорядоченной системе поверхностных электронов над жидким гелием (вигнеровском кристалле), расположенной в узком канале. Показано, что электрические поля, прикладываемые к электронной системе при измерениях, могут приводить к существенной перестройке пространственной конфигурации электронов. Следствием этой перестройки и является измеряемый ток. Показано, что при определенных условиях электроны могут покидать канал, преодолевая энергетический барьер, что приводит к появлению всплесков на токовых характеристиках системы. На основании сравнения результатов моделирования с существующими экспериментальными данными сделан вывод о том, что наблюдаемые в экспериментах эффекты обусловлены исключительно электрон-электронным взаимодействием и влиянием внешних полей и не имеют отношения к особенностям электрон-риплонного взаимодействия.

Экспериментально исследован спектр связанных электрон-риплонных колебаний в вигнеровском кристалле в зависимости от амплитуды возбуждающего сигнала. Обнаружено, что повышение возбуждающего напряжения приводит к заметному искажению спектра и смещению резонансных особенностей в область более низких частот. В результате анализа спектров установлено, что в ячейке возбуждаются неосесимметричные колебания. Ввиду радиальной симметрии ячейки и возбуждающего электрода причиной возбуждения таких колебаний может быть искажение кристаллической решетки. При анализе предполагается, что электрон-риплонное взаимодействие приводит лишь к перенормировке эффективной массы электронов.

Экспериментально исследован спектр связанных электрон-риплонных колебаний в вигнеровском кристалле на поверхности сверхтекучего гелия при различных температурах и возбуждающих напряжениях, приводящих к деформации спектра. Показано, что при всех температурах увеличение возбуждающего напряжения приводит к появлению неосесимметричных колебательных мод, что указывает на искажения кристаллической решетки. Возможность возбуждения неосесимметричных мод в ячейке продемонстрирована с помощью моделирования колебаний в электронном кристалле методом молекулярной динамики. При нескольких фиксированных частотах измерены амплитуды отклика электронного кристалла на внешнее возбуждение в зависимости от величины возбуждающего напряжения и обнаружены скачки при некоторых критических напряжениях. С использованием критерия Липдсмана установлена корреляция между критическим напряжением и пределом устойчивости кристаллической решетки. Сделан вывод о том, что при достижении критического значения ведущего напряжения происходит динамическое плавление электронного кристалла.

Методами молекулярної динаміки досліджено двовимірний вігнерівський кристал, утворений електронами, які знаходяться над прямокутним електродом з рівномірно розподіленим позитивним зарядом. За фіксованої густини електронів проаналізовано ймовірні конфігурації електронів над вузьким електродом залежності від ширини електрода та особливості переходів від однієї конфігурації до іншої. Розглянуто електронні конфігурації, що складаються з декількох ланцюжків. Після фур'є-перетворення часових залежностей середніх координат електронів у процесі моделювання розраховано спектри плазмових коливань. Для одного та двох ланцюжків проведено порівняння частот, що спостерігаються у процесі моделювання, з теоретичними.

Методом молекулярної динаміки проведено дослідження двовимірних електронних систем, які розташовані у вузьких каналах, при різних співвідношеннях між шириною каналу та середньою відстанню між електронами. Визначено просторові структури, що утворюються в каналах при низьких температурах в залежності від ширини каналу, та проаналізовано особливості структурних переходів. Досліджено вплив температури на структурні переходи. Визначено температури, при яких відбувається руйнування просторового порядку в електронній системі в залежності від ширини каналу, зокрема в області структурних переходів.