Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Сингх Ш$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2

      
Категорія:    
1.

Сингх Ш. 
Аналитическое определение паразитных частот гетеродинной системы, совпадающих с требуемой частотой выходного сигнала / Ш. Сингх, С. Ч. Бера, П. П. Кумар, Д. Пьюар // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2017. - 60, № 11. - С. 620-627. - Библиогр.: 9 назв. - рус.

Получены формулы для определения самого низкого порядка и других высших порядков паразитных частот, которые совпадают с требуемыми частотами выходного сигнала смесителей. Предложенный подход дает общее выражение, которое используется для любого порядка гетеродинного смешения. Формулы проверены на типичном примере и полученные результаты сравнивались с результатами моделирования, полученными с помощью программы моделирования Advanced Design System. Формулы дают возможность непосредственно получить порядок проблемных паразитных частот, с которыми проектировщики могут столкнуться при разработке гетеродинных систем. В отличие от этих прямых формул, результаты существующих программ для анализа паразитных явлений основаны на максимальном порядке проведенного моделирования. На основании результатов такого моделирования совпадающие паразитные составляющие необходимо сортировать вручную. Предложенные формулы представляют собой экспресс средства для разработчиков систем микроволновой радиосвязи и СВЧ-схем, которые позволяют осуществлять выбор и уточнение частот гетеродинирования в разрабатываемых конструкциях без использования средств моделирования.


Індекс рубрикатора НБУВ: З849-044

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Сингх Ш. 
Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии / Ш. Сингх, В. Мишра // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2018. - 61, № 5. - С. 267-274. - Библиогр.: 13 назв. - рус.

Технология сверхбольших интегральных схем VLSI (very large scale integrated) завоевала популярность благодаря возможности значительного изменения и адаптации. Развитие данных платформ идет по пути уменьшения размеров элементов. Но происходит не только уменьшение размеров, но и революция в конструировании, когда все схемы переключаются с уровня единичных элементов к уровню других появляющихся устройств. В этой борьбе мемристоры более способны закрепится в области VLSI по сравнению с другими новыми устройствами. Приведено изучение статического запаса помехоустойчивости, подчеркивается новая проблема точности, поскольку шум оказывает большое влияние на напряжение удержания ячейки SRAM и это влияние в мемристорной ячейке меньше, чем для традиционной ячейки 7T SRAM. Результаты имитационного моделирования приведены для ячейки 7T SRAM и мемристорной 7T SRAM ячейки технологии 45 нм. Обсуждено и сравнено влияние коэффициентов ячейки и нагрузки.


Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського