Розглянуто головні аспекти планування відновлення устаткування на підприємствах. Запропоновано окремі рекомендації щодо поліпшення планування відновлення (заміни, модернізації, ремонту).

Проведено аналіз сталих електромагнітних процесів у мостовому послідовному резонансному інверторі з контурами зміщення, показано, що такий інвертор має зовнішню характеристику джерела струму. Наведено зрівняльні (експериментальні та теоретичні) характеристики джерела струму на основі розглянутої схеми інвертора потужністью 18 кВт.

Наведено результати теоретичних та експериментальних досліджень системи джерело струму - електрична дуга з від'ємним диференціальним опором. Визначено критерій сталого горіння електричної дуги в залежності вiд величини показника ступеня в апроксимації статичної вольт-амперної характеристики стовпа дуги.

Рассмотренные конструктивно-технологические варианты коммутационных плат с подложкой из кремния с двумя и тремя уровнями коммутации основываются на известных, хорошо освоенных в промышленности технологиях. Применение этих плат обеспечивает максимально возможную плотность упаковки микросборок при сравнительно невысокой их себестоимости.

The structural/technological alternatives of switching cards on a silicon substrate with two/three commutation levels, discussed in the paper, are based on the production process, well known in the art and mastered in the industry. The application of these cards ensures the greatest packing denseness possible at a rather low cost.

Изложена технология монтажа бескорпусных кристаллов с объемными выводами и компонентов в мини-корпусах на кремниевую плату. Рассмотрено несколько конструктивно-технологических вариантов монтажа кремниевой микросборки на металлическое основание.

Methods for interconnection of bare beam-lead chips and micropackaged components on a silicon carrier are discussed. Several structural/technological alternatives for assembly of a silicon micromodule on a metal mount are considered.

На основе анализа некоторых конструктивно-технологических вариантов рассмотрены перспективы повышения интеграции тонкопленочных микросборок с подложкой из ситалла, поликора, сапфира, кремния. Изложена технология изготовления резисторов из хрома на кремнии. Дана оценка плотности упаковки печатных и кремниевых плат.

On the basis of analysis of some structurally/technological alternatives the perspectives of integration increase of the thin-film micromodules on a substrate from glass ceramics, ceramics, sapphire and silicon are discussed. The production process for manufacture of chromium resistors on silicon is stated. The packing denseness of printed/silicon cards is evaluated.

Рассмотрено несколько способов компенсации систематических погрешностей конструктивных параметров тонкопленочных резисторов, определяющих выход годных микросборок. Предложена компенсация путем изменения размеров элементов фотошаблона по определенным алгоритмам, которая позволит значительно уменьшить размеры всех тонкопленочных элементов без уменьшения процента выхода годных микросборок.

Several methods of compensation for systematic errors of the thin-film resistor design values which defim the yield of effective micromodules are discussed. The compensation by means of changing dimensions of mask elements using certain algorithms is proposed that permits to reduce dimensions of all the thin-film components without reduction of the yield of effective micromodules.

Рассмотрены основные виды погрешностей и их влияние на формирование сопротивления тонкопленочного резистора. В модель номинального сопротивления резистора дополнительно введены систематические погрешности длины и ширины, а также сопротивление его электродов. Применение полученных моделей позволит проектировать тонкопленочные резисторы с размерами 50 мкм и менее без изменения технологического процесса.

The main kinds of errors and their effect on the thin-film resistor impedance are discussed. The model of the resistor nominal impedance includes additionally the systematic errors of its length and width as well as the impedance of the electrodes. The application of the above models makes it possible to design thin-films resistors with the size of 50 µm and less without any change of the manufacturing process.

Рассмотрен метод, позволяющий проектировать тонкопленочные элементы с минимальными размерами 10-50 мкм. Повышение интеграции микросборки достигается за счет компенсации систематических погрешностей конструктивных параметров тонкопленочных элементов,изменением алгоритма расчета размеров резисторов, особенностями размещения компонентов и резисторов.

The discussed method enables to design the thin-film components having minimum dimensions of 10 to 50 µm. The micromodule integration enhancement is obtained due to the compensation for systematic errors of thin-film components structural parameters; modification of algorithm for resistors dimensional computation; through optimization of components and resistors layout.

Разработаны тестовая схема и алгоритмы расчета для определения систематических и случайных погрешностей конструктивных параметров тонкопленочного резистора. Проведена экспериментальная оценка этих погрешностей. Приведены формулы для расчета размеров проводников и контактных площадок.

The test circuit and computational algorithm for determining systematic/random errors of the thin-film resistor design values are developed. The experimental evaluation of the above errors is conducted. Formulas for size calculation of conductors and terminations pads are given.

Предложена аналитическая модель расчета контактного сопротивления тонкопленочного резистора. Исследована зависимость контактного сопротивления от клина травления. Рассмотрено влияние адгезионного слоя на температурную стабильность резистора. Получены формулы расчета систематической и случайной погрешности, вносимой контактным сопротивлением.

The analytical model of the calculation of the contact resistance of the thin-film resistor is Offered. The Explored dependency of the contact resistance from wedge of the pickling. The Considered influence adhesive layer on warm-up stability of the resistor. They Are Received formulas of the calculation systematic and casual inaccuracy contributed by contact resistance.

С применением методов теории упругости оценен модуль упругости и определена демпфирующая способность композиционного псевдосплава ДЗО-МП на основе меди и многокомпонентного порошкового сплава ВК6м на основе карбида вольфрама, используемых для изготовления корпуса и матрицы алмазной буровой коронки. Выявлено, что одним из основных источников рассеяния энергии в сплаве ВК6м является поглощение энергии при скольжении межфазных границ в поле действующих напряжений, которое может регулироваться за счет формы и размера зерен рэлита. Даны рекомендации по повышению демпфирующих свойств матриц алмазных коронок.

Исследованы механизмы и основные закономерности влияния термоудара на характеристики структурного состояния и свойства алмазосодержащего композиционного материала. Термическая обработка в заданных режимах обеспечивает формирование в матрице оптимального уровня напряжений сжатия, в присутствии которых твердосплавные частицы и алмазы удерживаются окружающими объемами связки не только за счет сил адгезии, но и механически. Приведены результаты экспериментального бурения коронками с различными видами термообработки.

На підставі проведених досліджень схем квазірезонансних перетворювачів з переключенням транзисторів у нулі струму (ПНС) та у нулі напруги (ПНН) обрано схему з ПНС. Експериментальні дослідження показали добрі технологічні можливості систем плазмового запалювання з джерелом електроживлення на базі схеми квазірезонансного двотактного перетворювача з ПНС.

Індекс рубрикатора НБУВ: З264.536-016

Рубрики:

Індуктивні перетворювачі та випрямлячі

Шифр НБУВ: Ж69973 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано методику визначення параметрів квазірезонансного перетворювача з перемиканням у нулі струму за малих опорів плазмових запальників з від'ємним диференційним опором електричної дуги.

Індекс рубрикатора НБУВ: З264.536

Рубрики:

Індуктивні перетворювачі та випрямлячі

Шифр НБУВ: Ж69973 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто особливості побудови систем електроживлення стендів для випробування автоматичних вимикачів. Наведено рекомендації щодо застосування індуктивно-ємнісних перетворювачів і тиристорних комутаторів для створення джерел живлення випробувальних стендів.

Предложен порядок разработки методик поверки или калибровки средств измерительной техники (СИТ), предназначенных для определения химического состава веществ и материалов физическими и физико-химическими методами. Контроль метрологических характеристик проводят для всех определяемых элементов по одному из анализируемых веществ или материалов, используя стандартные образцы состава или однородные производственные пробы. В качестве метрологических характеристик, подлежащих контролю при поверке, предложено использовать сходимость результатов параллельных измерений и воспроизводимость средних результатов измерений, требования к которым обычно регламентируются нормативными документами на методы анализа. Для проведения статистической обработки результатов измерений составлена программа для ПЭВМ. Украинским научно-исследовательским институтом металлов (УкрНИИМет) и ОАО "ДМЗ им. Петровского" разработаны и зарегистрированы в территориальном органе Госстандарта Украины методика поверки оптических эмиссионных спектрометров и методика поверки СИТ серы, углерода, азота, кислорода и водорода. Предложенный подход позволяет при незначительном расходе стандартных образцов и минимальных затратах времени произвести оценку метрологических характеристик СИТ и с высокой степенью достоверности принять решение о его пригодности к применению.

Індекс рубрикатора НБУВ: З264.5

Рубрики:

Перетворювачі та випрямлячі

Шифр НБУВ: Ж14164 Пошук видання у каталогах НБУВ