Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (3) |
Пошуковий запит: (<.>A=Стронский А$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 12 Представлено документи з 1 до 12 |
|||||
| 1. | Влчек М. Многокомпонентные халькогенидные неорганические резисты: свойства и применение в дифракционной оптике / М. Влчек, А. В. Стронский, П. Е. Шепелявый // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 137-141. - Библиогр.: 17 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Стронский А. В. Оптические свойства и фотоиндуцированные процессы в слоях Assub38/subSsub62/sub / А. В. Стронский // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 160-163. - Библиогр.: 10 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Стронский А. В. Светочувствительные свойства слоев Assub40/subSesub60/sub / А. В. Стронский, М. Влчек, А. Скленарж, П. Ф. Романенко, С. А. Костюкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1999. - Вып. 34. - С. 65-71. - Библиогр.: 23 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Венгер Е. Ф. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение : моногр. / Е. Ф. Венгер, А. В. Мельничук, А. В. Стронский; Ин-т физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева НАН Украины. - К. : Академпериодика, 2007. - 284 c. - Библиогр.: с. 242-280 - рус. Рассмотрены оптические свойства, спектры комбинированного рассеяния, фотоструктурные преобразования и селективное травление в слоях As - S - Se. На основе односциллярной модели и модели Пена проанализированы композиционные зависимости оптических свойств в области прозрачности края поглощения и их эволюции под действием внешних причин. Описаны особенности механизма необратимых фотоструктурных преобразований. Раскрыты основы использования регистрирующих сред на основе слоев As - S - Se в голографии и технологиях получения голограммных оптических элементов с использованием данных регистрирующих сред. Показано, что значения дифракционной эффективности и отражающих рельефно-фазовых решеток, полученных на основе слоев As - S - Se, близки к теоретической границе. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224,021 + В379.24,021 + З843.32,021 Рубрики: Шифр НБУВ: ВС44298 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Романенко П. Ф. Особенности копий дифракционных решеток, полученных с использованием халькогенидных стеклообразных полупроводников / П. Ф. Романенко, В. И. Минько, А. В. Стронский // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 114-117. - Библиогр.: 14 назв. - рус. Исследованы особенности копий дифракционных решеток, полученных с использованием решеток-оригиналов на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников. Голограммные решетки-оригиналы на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников обеспечивают получение высококачественных полимерных решеток-копий с характеристиками, близкими к исходным у решеток-оригиналов, и высоким качеством поверхности полученных микрорельефов. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Стронский А. В. Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в голографии, оптоэлектронике и информационных технологиях : (Обзор) / А. В. Стронский // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2004. - Вып. 39. - С. 73-96. - Библиогр.: 180 назв. - рус. Рассмотрены физические процессы и свойства, которые служат основой многочисленных практических применений халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП): фотостимулированные изменения в слоях ХСП, которые имеют сложную природу, включают в себя различные эффекты, такие, как фотопотемнение (красный сдвиг края поглощения), фотоиндуцированная анизотропия, фотостимулированное изменение растворимости, фотокристаллизация, фототекучесть и др. Комплексную природу имеет также фотостимулированное взаимодействие в системах ХСП - металл (фотодиффузия металлов) - одновременное протекание целого ряда физических и химических процессов (контактные и поверхностные, диффузионные, фотостимулированные изменения в ХСП, взаимодействие компонент на границах раздела ХСП - металл и продукты фотостимулированного взаимодействия - ХСП). Рассмотрены разнообразные практические применения ХСП в микро- и наноэлектронике, оптической памяти (запись, хранение и передача информации), голографии, дифракционной оптике и др. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324 + В379.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Толмачев И. Д. Оптические нелинейности в халькогенидных стеклообразных полупроводниках: (обзор) / И. Д. Толмачев, А. В. Стронский // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 27-48. - Библиогр.: 62 назв. - рус. Рассмотрены методики измерения и основные экспериментальные результаты по измерению нелинейных оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП). Приведены примеры реализации устройств оптической обработки сигнала с использованием ХСП (оптическое переключение, преобразование длины волны и др.). Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Толмачев И. Д. Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в сенсорах и сенсорных системах: (обзор) / И. Д. Толмачев, А. В. Стронский // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2009. - Вып. 44. - С. 5-22. - Библиогр.: 71 назв. - рус. Рассмотрено применение халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) в качестве активных сенсорных элементов, а также пассивных составляющих частей сенсорных систем. Сенсоры нашли широкое применение во многих отраслях науки и техники. Их функциональные характеристики в основном определяются используемыми материалами, структурами и методами изготовления. Показано, что ХСП широко используются в сенсорике благодаря уникальным физическим свойствам, к которым относятся: оптическая прозрачность в ИК-диапазоне, широкая область стеклообразования, большое разнообразие фотоиндуцированных эффектов (фотопотемнение и фотопросветление, фотокристаллизация, фотоиндуцированная анизотропия, фотодиффузия металлов и др.), устойчивость в агрессивных средах. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324 + В379.224 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Денисова З. Л. Получение и характеристики тонких пленок металлополимера с координационными комплексами редкоземельных элементов / З. Л. Денисова, П. Ф. Олексенко, А. С. Бережницкая, Я. В. Федоров, Л. И. Велигура, А. В. Стронский, Е. К. Трунова // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2013. - Вып. 48. - С. 69-72. - Библиогр.: 6 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 10. | Акимова Е. А. Запись голограммных дифракционных решеток на карбазолсодержащих тонких полимерных пленках / Е. А. Акимова, А. В. Стронский, А. П. Паюк, А. Ю. Мешалкин, Ю. Ю. Бояринов, А. М. Присакарь, С. В. Робу, П. Ф. Олексенко, О. С. Литвин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2014. - Вып. 49. - С. 31-35. - Библиогр.: 7 назв. - рус. Работа посвящена получению карбазолсодержащих тонких полимерных пленок методом нанесения из растворов и использованию их в качестве регистрирующих сред для записи голограммных дифракционных решеток. В качестве исследуемого полимерного материала был выбран полиэпоксипропилкарбазол (ПЭПК). Исследования морфологии поверхности пленок с помощью атомносиловой спектроскопии показали хорошее качество поверхности полученных пленок. Дифракционная эффективность полученных после селективного травления решеток (-900 лин/мм) составляла ~18 %. Полимерные пленки на основе полиэпоксипропилкарбазола обеспечивают высокое качество рельефа при записи голограммных дифракционных решеток. Індекс рубрикатора НБУВ: В343.43 + Л719.4 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Паюк А. П. Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Gesub5/subAssub37/subSsub58/sub - Se как регистрирующих сред / А. П. Паюк, А. Ю. Мешалкин, А. В. Стронский, Е. А. Акимова, С. А. Сергеев, В. Г. Абашкин, О. С. Литвин, П. Ф. Олексенко, А. М. Присакарь, Г. М. Тридух, Е. В. Сенченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2015. - Вып. 50. - С. 79-86. - Библиогр.: 27 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 12. | Мешалкин А. Прямая запись поверхностного рельефа дифракционных решеток с использованием слоев селена как регистрирующих сред / А. Мешалкин, А. П. Паюк, Л. А. Ревуцкая, Е. Акимова, А. Стронский, А. Присакарь, Г. Тридух, В. Абашкин, А. Корчевой, В. Ю. Горонескуль // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53. - С. 240-247. - Библиогр.: 17 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського