Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)
Пошуковий запит: (<.>A=Токій Н$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
      
Категорія:    
1.

Токій Н. В. 
Моделювання впливу дефектів кристалічної будови на електронну підсистему кристалу : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Н. В. Токій; НАН України. Донец. фіз.-техн. ін-т ім. О.О.Галкіна. - Донецьк, 2004. - 21 c. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31,022 + В377.1,022

Рубрики:
 Дефекти 
 Електричні властивості твердих тіл 

Шифр НБУВ: РА339759 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Токій Н. В. 
Гібридний модель аномальної температурної залежності модуля зсуву міді, викликаної інтенсивною пластичною деформацією / Н. В. Токій, А. М. Пилипенко, В. В. Токій // Металлофизика и новейшие технологии. - 2014. - 36, № 8. - С. 1129-1143. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: К232.107.3

Рубрики:
 Вплив обробки тиском на структуру і властивості міді та її сплавів 

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Токій В. В. 
Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC / В. В. Токій, Д. Л. Савіна, Н. В. Токій // Физика и техника высоких давлений. - 2013. - 23, № 2. - С. 114-122. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.

Побудовано атомну модель осередку поверхні карбіду кремнію з дефектами. Застосовано пакет програм ABINIT-інструменту nanoHUB з використанням теорії функціонала густини. Встановлено: зі зростанням всебічного тиску найбільшою мірою змінюється внесок локальної електрон-іонної взаємодії у повну енергію осередку; контролюючим механізмом впливу всебічного тиску на міграцію кисню є нелокальна псевдопотенціальна взаємодія валентних електронів з іонним остовом усіх атомів осередку. Передбачено, що збільшення всебічного стиснення призводить: до зміни напрямку процесу оксидизації приповерхневого С-прошарку кремнієвої поверхні карбіду на протилежний - його деоксидизацію; до уповільнення міграції кисню як при оксидизації, так і при деоксидизації приповерхневого С-прошарку кремнієвої поверхні карбіду.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26

Рубрики:
 Механічні властивості монокристалів напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського