Выполнены исследования особенностей формирования металлических наноостровков Pb на поверхности кремния методом сканирующей туннельной микроскопии. Показано, что рост наноостровков Pb на поверхности Si происходит в рамках модели Странски - Крастанова; вместе с тем формирование островков сопровождается их расслоением с характерным масштабом 2 нм (7 монослоев Pb). Обнаруженное явление рассматривается в связи с минимизацией энергии в квантовых ямах, образующихся вследствие эффекта квантовой локализации, и объясняется в рамках модели электронного роста.

Предложено увеличение коэффициента мощности в режиме тяги и рекуперативного торможения для возвращения электроэнергии в контактную сеть и для уменьшения удельных расходов электроэнергии. Рассмотрено применение новых алгоритмов управления выпрямительно-инверторных преобразователей на 1-й зоне, применение диодных плеч.