Представлены результаты фундаментальных и метрологических исследований, которые были использованы для создания диодных сенсоров температуры экстремальной электроники. Сенсоры, разработанные на базе современной промышленной технологии изготовления кремниевых диодных чипов, применены в составе многоканальных систем для температурного мониторинга IV блока Чернобыльской АЭС и контроля температурных режимов заправки при пусках ракет-носителей "Зенит-3SL".

Diode temperature sensors are physically proved and realized stable and interchangeable with optimized characteristics for use in conditions of influence of the factors of extreme electronics. The developed diode temperature sensors are applied in space-rocket engineering and atomic engineering.

Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения и разработанные температурные сенсоры, которым характерные высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комбинированного воздействия низких и высоких температур, термоциклов, механических ударов и вибраций, климатических факторов, высокой радиации и т. д.

We have developed the new type of the silicon diode temperature sensors (DTSs) with advanced characteristics on the base of highly doped p-n silicon structures. The industrial technology of manufacturing such type of structures with minimized leakageand generation-recombination currents (almost ideal diode) have provided to make the advanced diode temperature sensors for extreme electronics. The design and assembly technology for the DTSs has been developed with making use of laser engineering for the package production.

На основе результатов исследований электрических и термометрических характеристик разработанных кремниевых диодных сенсоров температуры и анализа погрешности, обусловленной влиянием источника тока и измерителя напряжения, определены требования к аппаратуре, позволяющей обеспечить точность измерения на уровне сотых долей градуса Кельвина. Создана автоматизированная система для метрологической аттестации диодных сенсоров температуры в диапазоне 4,2 - 373 К.

On the basis of results of investigation electric and temperature response curve of diode temperature sensors developed by us and the analysis of the error caused by influence of a source of a current and a measuring instrument of a voltage determine requirements to the equipment, allowing to provide accuracy of measurement at a level of 0,01 K.

Ключ. слова: нейронная сеть, аппроксимация, термометрическая характеристика, сенсор.
Індекс рубрикатора НБУВ: З810.22

Рубрики:

Нейронні мережі

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: сенсор, температура, диод, GaP.
Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж14162 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На основе анализа существующих методов математической обработки экспериментальных данных при градуировке термодиодных сенсоров предложена методика, основанная на комбинации двух общих подходов: сплайн-интерполяции и аппроксимации с использованием ортогональных полиномов Чебышева. Установлены требования к проведению градуировок для достижения наивысшей точности представления термометрической кривой. Предлагаемый метод апробирован для аппроксимации характеристик партии кремниевых диодных сенсоров температуры в интервале температур 4,2 - 350 K, и позволяет автоматизировать процесс получения интерполяционной таблицы и оптимизировать процедуру градуировки.

Індекс рубрикатора НБУВ: В361.51 + З322-524.2

Рубрики:

Термометрія. Термометри.

Вимірювання температури (термометрія)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Разработана информационно-измерительная система градуировки диодных датчиков температуры в диапазоне 4,2 - 420 К с погрешностью градуировки 0,03 К. Даны описания структурных блоков системы и результаты экспериментальной проверки точности градуировки.

  Скачати повний текст