Теоретично проаналізовано можливість застосування п'єзофоторезистивного ефекту для дослідження параметрів неперервнорозподілених рівнів прилипання у забороненій зоні напівпровідників.

Розкрито фізичні основи електронних явищ перенесення у напівпровідниках. На засадах єдиного підходу висвітлено феноменологічну теорію кінетичних ефектів у напівпровідниках, визначено умови їх спостереження та механізми виникнення. Охарактеризовано аспекти практичного використання даних ефектів у напівпровідниковій електроніці. Розглянуто поверхневі та контактні явища у напівпровідниках, явища у сильному електричному та квантувальному магнітному полях. Проаналізовано особливості електронних властивостей сильнолегованих і некристалічних напівпровідників. Описано електронні властивості нанорозмірних структур. Увагу приділено спіновому перенесенню. Викладено фізичні основи вимірювання кінетичних параметрів напівпровідників.

Раскрыты физические основы электронных явлений переноса в полупроводниках. С учетом единого подхода освещена феноменологическая теория кинетических эффектов в полупроводниках, определены условия их наблюдения. Охарактеризованы аспекты практического использования данных эффектов у полупроводниковых электронике. Рассмотрены поверхностные и контактные явления в полупроводниках, явления в сильном электрическом и квантивальном магнитном полях. Проанализированы особенности электронных свойств сильнолегированных и некристаллических полупроводников. Описаны электронные свойства наноразмерных структур. Внимание уделено спиновому переносу. Изложены физические основы измерения кинетических параметров полупроводников.

Досліджено динаміку нерівноважних носіїв заряду за наявності центрів прилипання за умов спільної дії на напівпровідник стацінарного фотозбудження та змінної деформації.

Розглянуто методику числового розв'язку фундаментальної системи рівнянь під час аналізу стаціонарної фотопровідності. Запропоновано метод лінеаризації виразів для швидкості рекомбінації у наближенні часу життя. Одержану систему рівнянь розв'язано за допомогою методу скінченних різниць. Досліджено оптимальний вибір виразів для апроксимації похідних нормувальних коефіцієнтів, стійкість і збіжність різницевої схеми.

Розглянуто методи масштабування растрових зображень зі зміною співвідношення сторін. Досліджено метод Seam Carving непропорційного масштабування. Запропоновано методи побудови енергетичних функцій для нього, порівняно результати їх використання.

Розглянуто моделювання числового розв'язку фундаментальної системи рівнянь для аналізу фотопровідності у встановленому квазістаціонарному режимі в лінійному наближенні за параметром модуляції. Запропоновано метод перетворення виразів для швидкості рекомбінації в наближенні часу життя. Одержана система рівнянь розв'язується за допомогою методу скінченних різниць. Розраховано просторовий розподіл амплітуд змінних концентрацій вільних носіїв заряду та напруженості електричного поля.

Розглянуто модель інформаційної системи розкладу занять навчального закладу та організацію роботи з нею через HTTP-протокол. Проаналізовано запити, які користувач може створювати, раціональний вибір та оптимальність створення таблиць і зв'язків між ними. Досліджено обмеження, які виникають під час проектування структури таких баз, вимоги до цілісності та несуперечливості даних.

Розглянуто принципи організації гібридної архітектури кластерних обчислень на підставі використання обчислювальних можливостей центрального і графічного процесорів, з підтримкою технології GPGPU. Проаналізовано переваги та недоліки такого методу обчислень, а також показано можливості реалізації паралельних програм на підставі використання гібридної архітектури кластерних обчислень. На базі запропонованої програмної моделі реалізовано програмний каркас, який можна використати для розроблення прикладних програм. З метою демонстрації можливості практичного використання гібридної архітектури, а також для аналізу її ефективності на базі запропонованого програмного каркаса реалізовано програму блокового Фур'є-перетворення для зображення високої роздільної здатності. Наведено результати опрацювання, обгрунтування та порівняння результатів.