Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Arsentyev I$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
      
Категорія:    
1.

Arsentyev I. N. 
New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis / I. N. Arsentyev, A. V. Bobyl, I. S. Tarasov, M. V. Shishkov, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, A. E. Belyaev, A. B. Kamalov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, E. P. Markovskiy, V. V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 104-114. - Бібліогр.: 29 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Arsentyev I. N. 
Porous nanostructured InP: technology, properties, application / I. N. Arsentyev, A. B. Bobyl, S. G. Konnikov, I. S. Tarasov, V. P. Ulin, M. V. Shishkov, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. B. Kamalov, P. M. Lytvyn, E. P. Markovskiy, V. V. Milenin, R. A. Red'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 95-103. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.

We prepared porous InP (100) substrates with a nanostructured surface relief on which InP epitaxial films were grown. The structure, morphological, and photoluminescence properties of nanostructured substrates and InP epilayers grown on them were studied. These InP epilayers grown on the porous and standard InP substrates were used to make microwave diodes. We showed the advantages of the diodes made on the porous substrates (over those made on the standard ones) caused by higher structural perfection of the InP epilayers grown on the porous substrates.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379 + З852.2

Рубрики:
 Фізика напівпровідників та діелектриків 
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського