Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Avakyants G$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | Avakyants G. M. Collision ionization in Gunn diodes: single-passage domain mode / G. M. Avakyants, S. P. Movchan, A. A. Stepanov // Functional Materials. - 1999. - 6, № 4. - С. 740-742. - Бібліогр.: 5 назв. - англ. Запропоновано методику опису помноження в рухомому домені сильного поля і один з можливих механізмів формування дільниць негативного опору на вольтамперній характеристиці діодів Ганна, специфічний для однопрохідного режиму домену. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського