![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Ayed H$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| | | | |
1. |
Ayed H. Characterization of in-situ doped polycrystalline silicon using Schottky diodes and admittance spectroscopy / H. Ayed, L. Bechir, M. Benabdesslem, N. Benslim, L. Mahdjoubi, T. Mohammed-Brahim, A. Hafdallah, M. S. Aida // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 1. - С. 01038-1-01038-4. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|