Фотоелектричне перетворення - це фотоелектронний процес, який передбачає взаємодію між фотоном та електроном. Мета роботи полягає в дослідженні фізичного принципу роботи фотоелектричного елемента на основі кремнію. Зовнішніми параметрами, які було визначено на основі фотоелектричної моделі, - струм короткого замикання, напруга холостого ходу і ефективність фотоелектричного перетворення. Проведено моделювання фотоелектричних параметрів за допомогою програмного забезпечення симулятора ємності сонячних батарей SCAPS-1D, математична модель якого базується на розв'язуванні рівнянь Пуассона для електронів і дірок. Для досліджень було використано ITO/CdS/Si та ZnO/Si/CdS. У даній роботі вивчено вплив температури та концентрації легування на дві структури сонячного елемента з гетеропереходом. Найвище значення ефективності для сонячної батареї з гетеропереходом ZnO/CdS/Si мало величину 29,3 %, для структури ITO/CdS/Si - 29,7 % завдяки впливу поглинаючого шару ITO.