![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Buryk I$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9
|
| | | | |
1. |
Grychanovsіka T. M. Phase composition and magnetoresistive properties of film systems based on ferum and vanadium or nikel and vanadium = Фазовый состав и магниторезистивные свойства пленочных систем на основе феруму и ванадия или никеля и ванадия / T. M. Grychanovsіka, V. V. Bibyk, I. P. Buryk, O. S. Gryschuk, L. A. Sheshenya // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2013. - 5, № 1. - С. 01014-1-01014-6. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.Приведена методика формирования трехслойных структур путем послойной конденсации наноразмерных пленок Ni, Fe и V и проведено исследование структуры и фазового состава полученных образцов. Рассмотрены магниторезистивные свойства пленочных систем Ni/V / Ni, Fe/V/Fe и их зависимость от температуры отжига и толщины немагнитного слоя. Установлена корреляция магниторезистивного эффекта со структурно-фазовым состоянием пленочной системы и ее составляющих. Індекс рубрикатора НБУВ: В378.26 + К663.030.022-18
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Ivashchenko M. M. Optical properties of pure and Eu doped ZnSe films deposited by CSVS technique / M. M. Ivashchenko, A. S. Opanasyuk, I. P. Buryk, V. A. Lutsenko, A. V. Shevchenko // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2017. - 9, № 1. - С. 01011-1-01011-5. - Бібліогр.: 30 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Ivashchenko M. M. Numerical simulation of SnS-based solar cells = Числове моделювання сонячних елементів на основі SnS / M. M. Ivashchenko, A. S. Opanasyuk, I. P. Buryk, D. V. Kuzmin // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 3. - С. 03004-1-03004-6. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Buryk I. P. Structure and electrophysical properties of double-component film alloys based on molybdenum and iron or nickel / I. P. Buryk, T. M. Hrychanovs'ka, D. V. Poduremne, A. O. Stepanenko // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 5. - С. 05026-1-05026-4. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: К663-18 + В372.6 + В377.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Buryk I. P. Numerical simulation of FinFET transistors parameters = Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів / I. P. Buryk, A. O. Golovnia, M. M. Ivashchenko, L. V. Odnodvorets // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - 12, № 3. - С. 03005-1-03005-4. - Бібліогр.: 21 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Buryk I. P. Numerical simulation of field-effect transistor GAA SiNWFET parameters based on nanowires = Числове моделювання параметрів польових транзисторів GAA SiNWFET на основі нанодротів / I. P. Buryk, M. M. Ivashchenko, A. O. Holovnia, L. V. Odnodvorets // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - 12, № 6. - С. 06012-1-06012-4. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Buryk I. P. Simulation of parameters of coaxial solar cells based on Si and InP nanowires = Моделювання параметрів коаксіальних сонячних елементів на основі нанодротів Si та InP / I. P. Buryk, L. V. Odnodvorets, Ya. V. Khyzhnya // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2021. - 13, № 1. - С. 01012-1-01012-5. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З252
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Buryk I. P. Numerical simulation of field-effect transistor with a channel in the form of a nanowire = Чисельне моделювання польового транзистора з каналом у вигляді нанодроту / I. P. Buryk, A. O. Holovnia, I. M. Martynenko, O. P. Tkach, L. V. Odnodvorets // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2021. - 13, № 4. - С. 04030-1-04030-4. - Бібліогр.: 21 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Buryk I. P. Electrical and temperature characteristics of transistors with a channel in the form of a carbon nanotube = Електричні та температурні характеристики транзисторів з каналом у вигляді вуглецевої нанотрубки / I. P. Buryk, I. M. Martynenko, L. V. Odnodvorets, Ya. V. Hyzhnya, N. I. Shumakova, M. P. Buryk // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2022. - 14, № 1. - С. 01024-1-01024-5. - Бібліогр.: 23 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-03
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|