Point-contact Andreev-reflection spectroscopy (PCARS) has demonstrated to be one of the most effective experimental tools for the investigation of fundamental properties of superconductors such as the superconducting gap and the electron - phonon (or, more generally, electron - boson) coupling. By reviewing relevant examples reported in literature and presenting new results, in this paper we show that when the direction of the interface with respect to the crystallographic axes can be controlled (as in single crystals and epitaxial films) PCARS can provide invaluable information about the anisotropy of the pairing wavefunction or - in the case of multiband superconductors - on the number, amplitude and symmetry of the energy gaps. Moreover, the analysis of PCARS results within a suitable 3D generalization of the BTK model allows obtaining qualitative information about the topology of the Fermi surface.

Електропровідний алмаз - перспективний матеріал для застосування в електронних, теплових та електрохімічних пристроях наступного покоління. Одним з основних перешкод на шляху його використання є значна деградація деяких його ключових фізичних властивостей, таких як рухливість носіїв і температура надпровідного переходу, при введенні безладу. Для розв'язання цієї проблеми особливий інтерес як з фундаментальної, так і з прикладної точки зору являє двовимірний дірковий газ, індукований на алмазній поверхні при допуванні в електричному полі, оскільки він істотно пригнічує зростання зовнішнього безладу в порівнянні зі стандартною процедурою заміщення бором. Розглянуто основні досягнення в управлінні електричними транспортними властивостями різних алмазних поверхонь, допованих в електричному полі, при обробці методом іонного стробування. Проаналізовано здатність іонного стробу регулювати провідність, щільність та рухливість носіїв, а також керувати поверхневим переходом ізолятор-метал. Розглянуто магнітотранспортні властивості поверхні, що сильно залежать від її орієнтації, з особливим акцентом на регульований стробом спін-орбітальний зв'язок на прикладі поверхні (100). Обговорено можливість індукованої полем надпровідності на поверхні (110), передбаченої розрахунками в теорії функціонала щільності.

Електропровідний алмаз - перспективний матеріал для застосування в електронних, теплових та електрохімічних пристроях наступного покоління. Одним з основних перешкод на шляху його використання є значна деградація деяких його ключових фізичних властивостей, таких як рухливість носіїв і температура надпровідного переходу, при введенні безладу. Для розв'язання цієї проблеми особливий інтерес як з фундаментальної, так і з прикладної точки зору являє двовимірний дірковий газ, індукований на алмазній поверхні при допуванні в електричному полі, оскільки він істотно пригнічує зростання зовнішнього безладу в порівнянні зі стандартною процедурою заміщення бором. Розглянуто основні досягнення в управлінні електричними транспортними властивостями різних алмазних поверхонь, допованих в електричному полі, при обробці методом іонного стробування. Проаналізовано здатність іонного стробу регулювати провідність, щільність та рухливість носіїв, а також керувати поверхневим переходом ізолятор-метал. Розглянуто магнітотранспортні властивості поверхні, що сильно залежать від її орієнтації, з особливим акцентом на регульований стробом спін-орбітальний зв'язок на прикладі поверхні (100). Обговорено можливість індукованої полем надпровідності на поверхні (110), передбаченої розрахунками в теорії функціонала щільності.