Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Dan'ko V$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 17 Представлено документи з 1 до 17 |
|||||
| 1. | Indutnyy I. Z. Kinetics of thermally-induced structural phase transformations and formation of silicon nanoparticles in thin SiOVIxD films / I. Z. Indutnyy, V. S. Lysenko, I. Yu. Maidanchuk, V. I. Min'ko, A. N. Nazarov, A. S. Tkachenko, P. E. Shepelyavyi, V. A. Dan'ko // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2006. - 4, вип. 1. - С. 145-155. - Библиогр.: 21 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Dan'ko V. Nonlinear holographic lenslet array with precompensation of aberrations for Shack - Hartmann wavefront sensor / V. Dan'ko, M. Kotov, D. Podanchuk, V. Yakymenko // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Радіофізика та електроніка. - 2009. - Вип. 12. - С. 49-53. - Библиогр.: 10 назв. - англ. Розглянуто метод розширення діапазону вимірювань сенсора хвильового фронту Шека - Хартмана, що грунтується на використанні матриць нелінійних двофокусних голографічних мікролінз із компенсацією аберацій. Наведено дані про оптичну установку та технологію виготовлення матриць, яка базується на ефекті нелінійної реєстрації голограм. На прикладі сферичних хвильових фронтів показано, що використання трьох матриць нелінійних голографічних мікролінз із різним ступенем компенсації аберації дефокусування дає змогу приблизно в п'ять разів розширити робочий діапазон сенсора Шека - Хартмана у порівнянні з відповідною рефракційною матрицею у випадку збереження необхідної кутової чутливості. Індекс рубрикатора НБУВ: В3 с25 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж28079/рад.фіз.Ел. Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Goloborodko N. Wavefront scanner for detecting surface inhomogeneities / N. Goloborodko, D. Podanchuk, V. Dan'ko, A. Goloborodko, M. Kotov // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Радіофізика та електроніка. - 2010. - Вип. 13. - С. 24-28. - Библиогр.: 7 назв. - англ. Безконтактну діагностику поверхні проведено за допомогою оптичних методів шляхом аналізу хвильового фронту лазерного пучка, відбитого від зразка. Запропоновано сканер хвильового фронту, який має чутливість та вимірювальний діапазон на порядок кращі за сенсор Шека-Хартмана. Представлено результати детектування сканером хвильового фронту тестових поверхонь різної структури. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.212 + В372.5 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж28079/рад.фіз.Ел. Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Indutnyy I. Z. Optical study of thermally induced phase separation in evaporated SiOVIxD films / I. Z. Indutnyy, I. P. Lisovskyy, D. O. Mazunov, P. E. Shepeliavyi, G. Yu. Rudko, V. A. Dan'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 2. - С. 161-167. - Бібліогр.: 33 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Min'ko V. I. Recording of high efficiency diffraction gratings by He-Ne laser / V. I. Min'ko, P. E. Shepeliavyi, V. A. Dan'ko, P. F. Romanenko, O. S. Litvin, I. Z. Indutnyy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1. - С. 88-92. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Indutnyy I. Z. Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOVIxD films / I. Z. Indutnyy, V. S. Lysenko, I. Yu. Maidanchuk, V. I. Min'ko, A. N. Nazarov, A. S. Tkachenko, P. E. Shepeliavyi, V. A. Dan'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 1. - С. 9-13. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Podanchuk D. V. Shack-Hartmann wavefront sensor with holographic lenslet array for the aberration measurements in a speckle field / D. V. Podanchuk, V. N. Kurashov, V. P. Dan'ko, M. M. Kotov, N. S. Sutyagina // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 1. - С. 29-33. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. The application of a Shack-Hartmann sensor with holographic lenslet array to the measurements of wavefront aberrations in a speckle field is offered. The main feature of the method is that the tested wave front can be compared with an arbitrary wavefront preliminary recorded in the holographic memory of the array. An iterative algorithm of the sensor work for measuring the variable speckled wavefronts is offered. The experimental results of measurements of the curvature of a spherical speckled wave are presented. The possibility to use the method proposed in the analysis of deformations of a rough surface is shown. Індекс рубрикатора НБУВ: В343.43 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Dan'ko V. A. Controlling the photoluminescence spectra of porous nc-Si - SiOVBIxD structures by vapor treatment / V. A. Dan'ko, V. Ya. Bratus', I. Z. Indutnyi, I. P. Lisovskyy, S. O. Zlobin, K. V. Michailovska, P. E. Shepeliavyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 4. - С. 413-417. - Бібліогр.: 22 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Dan'ko V. A. Photostimulated etching of germanium chalcogenide films / V. A. Dan'ko, I. Z. Indutnyi, V. I. Myn'ko, P. E. Shepeliavyi, M. V. Lukyanyuk, O. S. Litvin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - 15, № 4. - С. 345-350. - Бібліогр.: 27 назв. - англ. The new effect of photostimulated dissolution of as-evaporated and annealed Ge-based chalcogenide glass (ChG) films was investigated in detail. The etching rate increases with the illumination intensity, and its spectral dependence is correlated with absorption in the film at the absorption edge. A possible mechanism for the photoinduced etching of ChG films has been discussed. The high-frequency diffraction gratings on germanium ChG - more environmentally acceptable compounds than traditionally used arsenic chalcogenides - were recorded using the method of interference immersion photolithography with photoinduced etching. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 10. | Michailovska K. V. Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si-SiOVBxD nanostructures / K. V. Michailovska, I. Z. Indutnyi, P. E. Shepeliavyi, V. A. Dan'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 4. - С. 336-340. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Dan'ko V. A. Nanopatterning Au chips for SPR refractometer by using interference lithography and chalcogenide photoresist / V. A. Dan'ko, G. V. Dorozinsky, I. Z. Indutnyi, V. I. Myn'ko, Yu. V. Ushenin, P. E. Shepeliavyi, M. V. Lukaniuk, A. A. Korchovyi, R. V. Khrystosenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 4. - С. 438-442. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 12. | Dan'ko V. Development of measurement channels for gas analysis systems on modern radio components = Реалізація вимірювального каналу для систем газоаналізу на сучасній елементній базі / V. Dan'ko, I. Koval, O. Kisil, V. Solovyov // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Радіофізика та електроніка. - 2015. - Вип. 1. - С. 29-32. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж28079/рад.фіз.Ел. Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 13. | Dan'ko V. A. Control of plasmons excitation by P- and S-polarized light in gold nanowire gratings by azimuthal angle variation / V. A. Dan'ko, I. Z. Indutnyi, V. I. Myn'ko, S. V. Mamykin, P. Ye. Shepeliavyi, M. V. Lukaniuk, P. M. Lytvyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2019. - 22, № 3. - С. 353-360. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 14. | Khomchenko V. S. Doping the thin films by using the original Close Space Sublimation method / V. S. Khomchenko, M. V. Sopinskyy, V. A. Dan'ko, G. P. Olkhovik // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2020. - 23, № 1. - С. 5-28. - Бібліогр.: 89 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 15. | Dan'ko V. A. Formation of laterally ordered arrays of noble metal nanocavities for SERS substrates by using interference photolithography = Формування латерально упорядкованих масивів нанопорожнин благородних металів для SERS підкладок з використанням інтерференційної фотолітографії / V. A. Dan'ko, I. Z. Indutnyi, V. I. Mynko, P. M. Lytvyn, M. V. Lukaniuk, H. V. Bandarenka, A. L. Dolgyi, S. V. Redko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2021. - 24, № 1. - С. 48-55. - Бібліогр.: 22 назв. - англ. Недоліком традиційних SERS підкладок є неможливість зареєструвати повністю спектр високомолекулярних сполук у зв'язку з тим, що не всі зв'язки такої молекули потрапляють у місця локалізації поля плазмонного збудження. Зазначену проблему можна подолати шляхом використання так званих плазмонних нанопорожнин або антинаночастинок. З метою створення SERS підкладок у вигляді нанопорожнин в роботі проведено моделювання розподілу напруженості електричного поля біля поверхні наноструктур (нанопорожнин). Результати моделювання показали, що порожнини можна формувати в шарі напівпровідника або діелектрика і потім покривати шаром плазмон-несучого металу (срібла або золота) товщиною 20 - 100 нм. У роботі як рельєфоутворюючий шар використовується халькогенідне скло. Наведено результати розробки й оптимізації процесів формування SERS підкладок у вигляді двовимірних масивів нанопорожнин благородних металів з використанням інтерференційної фотолітографії на основі двошарового халькогенідного фоторезисту. Показано, що технологія інтерференційної літографії з використанням двошарового халькогенідного фоторезисту надає змогу формувати ефективні SERS підкладки у вигляді латерально впорядкованих матриць нанопорожнин із заданими морфологічними характеристиками (просторовою частотою, розмірами нанопорожнин, складом і товщиною конформного металічного покриття) для детектування раманівського спектра високомолекулярних сполук, що, зокрема, підтверджується реєстрацією відтворюваних SERS спектрів молекул лізоциму. Індекс рубрикатора НБУВ: К234.04 + В371.21 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка | |||||
| 16. | Indutnyi I. Z. The effect of surface plasmon-polaritons on the photostimulated diffusion in light-sensitive Ag - Assub4/subGesub30/subSsub66/sub structures = Вплив поверхневих плазмон-поляритонів на фотостимульовану дифузію в світлочутливих структурах Ag - Assub4/subGesub30/subSsub66/sub / I. Z. Indutnyi, V. I. Mynko, M. V. Sopinskyy, V. A. Dan'ko, P. M. Lytvyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2021. - 24, № 4. - С. 436-443. - Бібліогр.: 29 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
Категорія: Фізика | |||||
| 17. | Michailovska K. V. Luminescent and Raman study of nanostructures formed upon annealing of SiOsubx/sub:Sm films = Люмінесцентні та Раманівські дослідження структур, сформованих при відпалі плівок SiOsubx/sub:Sm / K. V. Michailovska, I. Z. Indutnyi, P. E. Shepeliavyi, M. V. Sopinskyy, V. A. Dan'ko, V. O. Yukhymchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2023. - 26, № 1. - С. 68-75. - Бібліогр.: 51 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського