Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Djerioui M$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
| | | | |
1. |
Djerioui M. A graphical method to study electrostatic potentials of 25 nm channel length DG SOI MOSFETs / M. Djerioui, M. Hebali, D. Chalabi, A. Saidane // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 4. - С. 04027-1-04027-4. - Бібліогр.: 21 назв. - англ.To determine electrostatic potentials in silicon channel of undoped DG SOI MOSFET devices, a graphical approach is proposed. The method keeps close to experimental reality by taking into account flat band potential at reduced channel lengths up to 25 nm. This graphical method solves a transcendental equation of Poisson's equation to obtain electrostatic potentials at center and surface of device as a function gate and drain bias voltages. Індекс рубрикатора НБУВ: В377.116.641
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Djerioui M. Impact of device sizing on electrical properties of DG-SOI-MOSFET using Octave software = Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave / M. Djerioui, M. Hebali, M. Abboun Abid // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2022. - 14, № 5. - С. 05025-1-05025-4. - Бібліогр.: 13 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: З844.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|