Ключ. слова: CdP_2 crystals, dispersion, refractive index, optical activity, plane of polarization, gyration tensor
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати дослідження впливу наносекундних імпульсів рубінового лазера на фотоелектричні та електричні властивості монокристалів GaAs та InSb з різною обробкою поверхні. Аналізуються фотопровідність, швидкість поверхневої рекомбінації та електричний опір зразків до і після опромінення імпульсами лазера в широкому діапазоні густини енергії. Виявлено зростання фотопровідності і зменшення швидкості поверхневої рекомбінації досліджуваних кристалів, що пояснюється очисткою поверхні зразків і лазерно-стимульованою десорбцією та сегрегацією електрично активних дефектів на стоки. Після опромінення імпульсами лазера з густиною енергії вище порога плавлення матеріалу спостерігалося значне зменшення опору кристалів GaAs, а також зсув максимуму і червоної границі спектра фотопровідності кристалів InSb у бік коротких хвиль. Аналізуються причини виявлених ефектів, механізм впливу лазерно-індукованих пружних і ударних хвиль на структуру та властивості кристалів.

На довжині світлової хвилі 632,8 нм проведено еліпсометричні дослідження поверхні монокристалічного телуриду кадмію, витриманого протягом тривалого часу за кімнатної температури у контакті з атмосферним повітрям. Досліджено поверхні (111) із виходом назовні атомів Cd або Те, поверхню (110) сколів та поверхню зразків, протравлених після тривалого витримування на повітрі в 3 %-ому розчині Br в HBr. Встановлено, що найкраще описує еліпсометричні дані двошарова модель відбиваючої системи, яка включає внутрішній шар в припущенні вільного телуру з товщиною від одного до двох моноатомних шарів та зовнішній шар оксиду можливо кадмію чи телуру з товщиною від 5 до 10 нм залежно від часу витримування на повітрі.

Представлено результати ретроспективного аналізу етапів трансформації парадигми сфери інформаційної безпеки і від захисту інформації та інформаційної безпеки до захисту свідомості та поведінки людей. Сформульовані сучасні парадигми інформаційного захисту. Описані нові проблеми забезпечення захисту критичних інформаційних інфраструктур. В результаті аналізу запропоновано способи вирішення низки часткових задач. Впровадження системи визначення ідентичності та управління визначенням ідентичності надасть можливість замкнути повноту механізмів захисту. Тим самим досягається можливість відслідковувати кожну транзакцію в мережі. Інформаційно-психологічний захист від деструктивного інформаційного впливу вимагає застосування соціально-психологічних методів. Запропоновано просту модель формування групової свідомості навколо ідеї боротьби з кіберзлочинністю. Отримана систематизація та результати вирішення задач дозволяє підвищити ефективність роботи систем забезпечення інформаційної, кібернетичної та соціально-психологічної безпеки й формалізувати напрямки подальших досліджень щодо розробки ефективних систем безпеки.

Представлено результати ретроспективного аналізу етапів трансформації парадигми сфери інформаційної безпеки: соціально-центрична парадигма інформаційної безпеки особи, суспільства, держави та, в цілому, національної безпеки; резюме щодо трансформації сфери інформаційної та кібернетичної безпеки; розподіл відносної значимості заходів захисту інформаційних ресурсів; парадигма мережної безпеки критичної інформаційної інфраструктури в умовах деструктивного інформаційного впливу; критичні властивості інформаційної інфраструктури; система (технологія) визначення ідентичності та управління визначенням ідентичності; створення "довіреного" телекомунікаційного простору. Одержана в частинах 1 та 2 систематизація та результати вирішення задач дозволяють підвищити ефективність роботи систем забезпечення інформаційної, кібернетичної та соціально-психологічної безпеки й формалізувати напрямки подальших досліджень щодо розробки ефективних систем безпеки.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В372.31

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Дефекти

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ