![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Grib A$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
| | | | |
1. |
Grib A. The influence of standing waves on synchronization and self-heating of Josephson junctions in resonant systems / A. Grib, P. Seidel // Физика низ. температур. - 2012. - 38, 4 (спец. вып.). - С. 409-413. - Библиогр.: 14 назв. - англ.We investigated numerically synchronization of Josephson junctions inside the transmission line. We have found that due to the resonance behavior of the system there appear the self-induced resonance steps, strong synchronization of junctions on these steps and the inhomogeneous distribution of the Joule heat extraction (the self-heating) along the line which can lead to the formation of "hot spots" in the line. The developed model can be applied to explain recent experiments in which these effects were obtained. Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31 + З845.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Belousov I. V. The influence of surface defects on the pinhole formation in silicide thin film / I. V. Belousov, A. N. Grib, G. V. Kuznetsov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 3. - С. 29-34. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.The growth of the CoSi layer was considered within the framework of the grain boundary diffusion model. The time dependences of the temperature due to the exothermic reaction of silicide formation as well as the dependences of the CoSi layer thickness were calculated for various values of the reaction activation energy. It was shown that the heat release at high reaction velocities can lead to the considerable increase of the temperature up to melting of the silicide and covering Co layers. The model of pinhole formation in cobalt silicide films was proposed on the basis of local melting in the reaction area at crystal defects of the silicon surface. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|