Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Guba S$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7

      
Категорія:    
1.

Voronin V. O. 
Production of GaAs transistors with the Schottky barrier in Bi - GaAs - AsClVB3D - HCl - SnClVB2D - HVB2D - He system by epitaxial deposition / V. O. Voronin, S. K. Guba, I. V. Kurylo // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 4. - С. 49-51. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
2.

Guba S. K. 
Some features of defect formation in transition regions of multilayer GaAs homoepitaxial structures / S. K. Guba, I. V. Kurilo // Functional Materials. - 2000. - 7, № 4. - С. 815-818. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.

Наведено результати досліджень препаративним методом дефектоутворення перехідних областей у гомоепітаксійних багатошарових структурах, вирощених методом газофазної епітаксії на різних напівізолюючих підкладках на базі GaAs. Виявлено, що найбільший вплив на дефектоутворення в перехідних гомоепітаксійних шарах має тип і концентрація легувальної домішки в підкладці та гомоепітаксійних шарах, кількість і послідовність розташування гомоепітаксійних шарів у багатошаровій композиції. Знайдено залежності густини дислокацій невідповідності в перехідних гомоепітаксійних шарах від величини невідповідності параметра гратки підкладка-епітаксійний шар.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Guba S. K. 
Gas phase formation at the low-temperature isothermal growing of Bi-doped GaAs layers / S. K. Guba, I. V. Kurilo // Functional Materials. - 2001. - 8, № 2. - С. 329-333. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + К663.033

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
4.

Guba S. K. 
Producing of power GaAs bipolar transistor in the GaAs - AsClsub3/sub - Hsub2/sub system by selective deposition method / S. K. Guba // Functional Materials. - 1999. - 6, № 4. - С. 702-705. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
5.

Peleshchak R. M. 
The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation = Вплив електричного поля на нуклеацію нанометрової періодичної структури адатомів у напівпровіднику GaAs під впливом лазерного опромінення / R. M. Peleshchak, O. V. Kuzyk, O. O. Dan'kiv, S. K. Guba // Condensed Matter Physics. - 2019. - 22, № 1. - С. 13801. - Бібліогр.: 26 назв. - англ.

Досліджено вплив електричного поля на умови формування та період поверхневої надгратки адсорбованих атомів у напівпровіднику n-GaAs. Встановлено, що у напівпровіднику GaAs збільшення напруженості електричного поля залежно від напрямку призводить до збільшення або зменшення критичної температури (критичної концентрації адатомів), за якої є можливим формування самоорганізованої наноструктури. Показано, що у сильнолегованому напівпровіднику n-GaAs збільшення напруженості електричного поля призводить до монотонної зміни (зменшення чи збільшення залежно від напрямку електричного поля) періоду самоорганізованих поверхневих наноструктур адатомів.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271 + В379.227

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
6.

Kopashynskii S. 
Justification of recommendations for improving the functioning of the armored weapons and military equipment recovery system based on the study of the graphical network model = Обгрунтування рекомендацій щодо вдосконалення функціонування системи відновлення бронетанкового озброєння й військової техніки на основі дослідження графічної мережевої моделі / S. Kopashynskii, O. Serpukhov, H. Makogon, S. Guba, O. Isakov, Yu. Babkin, O. Klimov // Системи упр., навігації та зв'язку. - 2020. - Вип. 1. - С. 36-40. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.

Обгрунтовано рекомендації щодо вдосконалення функціонування системи відновлення бронетанкового озброєння й військової техніки (ВТ) на основі дослідження графічної мережевої моделі. Вивчено процес функціонування системи відновлення бронетанкового озброєння та ВТ під час ведення бойових дій в сучасних умовах. Мета дослідження - вироблення пропозицій з удосконалення функціонування системи відновлення бронетанкового озброєння й ВТ задля скорочення часу проведення робіт та раціонального використання сил і засобів. Представлено процес функціонування системи відновлення бронетанкового озброєння й ВТ як перелік подій та робіт, що комплексно відображають його сутність та взаємозв'язки між окремими заходами; побудувано мережеву графічну модель функці онування системи відновлення бронетанкового озброєння й ВТ підрозділів, які виконують завдання за призначенням; проаналізовано критичний шлях мережевого графіку; визначено, які роботи знаходяться на критичному шляху, потребують більш ретельного контролю та виявлення проблем та ризиків, які можуть чинитит вплив на функціонування всієї системи відновлення; на основі аналізу та оптимізації мережевого графіка вироблено пропозиції щодо його вдосконалення функціонування системи відновлення бронетанкового озброєння та ВТ. Методологічною основою дослідження стали загальнонаукові та спеціальні методи наукового пізнання. Здійснено моделювання функціонування системи відновлення бронетанкового озброєння та ВТ військових підрозділів під час ведення бойових дій шляхом побудови графічної мережевої моделі. Аналіз критичного шляху мережевого графіка надав змогу визначити напрямки удосконалення функціонування системи відновлення бронетанкового озброєння та військової техніки в умовах обмеження матеріальних і нематеріальних ресурсів та регулярного оновлення інформації. Висновки: мережева графічна модель системи відновлення бронетанкового озброєння й ВТ військових підрозділів під час ведення ними бойових дій надає можливість представити весь обсяг робіт, їх логічний і хронологічний взаємозв'язок та здійснити коригування планів з урахуванням обмеженого часу та недостатньої кількості і навченості особового складу. Аналіз критичного шляху мережевого графіку надає можливість зробити висновок, що при наявності у складі бригади декількох батальйонів, ремонт зразків бронетанкового озброєння й ВТ трудомісткістю більше 200 люд/год. опиняється на критичному шляху, оскільки сил і засобів для відновлення бронетанкового озброєння та ВТ недостатньо за сучасних умов. Мережевий графік відновлення бронетанкового озброєння й ВТ при функціональному розподілу обсягу і переліку робіт є оптимальним за довжиною критичного шляху. Вдосконалення функціонування системи відновлення бронетанкового озброєння й ВТ запропоновано за рахунок суворого розподілу функцій з обсягу і переліку робіт між ланками системи, у відповідності технічного оснащення, кваліфікації і спеціалізації особового складу ремонтно-відновлювальних органів і наявності необхідної кількості запасних частино бсягу і переліку робіт, які виконуються. Практична реалізація пропозицій, щодо вдосконалення функціонування системи відновлення бронетанкового озброєння й ВТ можлива шляхом створення окремих підрозділів логістики відповідних рівнів ієрархії та впровадження міжвидової територіальної системи забезпечення військових частин Збройних силах України.


Індекс рубрикатора НБУВ: Ц53

Шифр НБУВ: Ж73223 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
7.

Seneta M. Ya. 
The influence of adsorbed atoms concentration on the temperature coefficient of resonant frequency of the quasi-Rayleigh wave = Вплив концентрації адсорбованих атомів на температурний коефіцієнт резонансної частоти квазірелеївської хвилі / M. Ya. Seneta, R. M. Peleshchak, A. I. Nesterivskyi, N. I. Lazurchak, S. K. Guba // Condensed Matter Physics. - 2021. - 24, № 1. - С. 13401. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.

У межах моделі самоузгодженого зв'язку квазірелеївської хвилі (КРХ) з адсорбованими атомами (АА) запропоновано спосіб побудови нового класу радіометричних сенсорів температури та концентрації АА на поверхневих акустичних хвилях. На базі розвиненої теорії дисперсії та ширини акустичної моди КРХ на адсорбованій поверхні монокристалів із структурою цинкової обманки розраховано температурний коефіцієнт резонансної частоти поверхневої акустичної хвилі залежно від температури та концентрації АА.


Індекс рубрикатора НБУВ: В325.7

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського