Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Hadef Z$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
||||
| 1. | Hadef Z. Correlation between surface tension, work of adhesion in liquid metals/ceramic systems, and acoustic parameters = Кореляція між поверхневим натягом, роботою адгезії у системах рідкі метали/кераміка та акустичними параметрами / Z. Hadef, A. Doghmane, K. Kamli, Z. Hadjoub // Progress in Physics of Metals. - 2018. - 19, № 2. - С. 168-184. - Бібліогр.: 43 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж23022 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Zaidi B. Junction configuration effect on the performance of Insub2/subSsub3/sub/CZTS solar cells = Вплив конфігурації переходу на продуктивність сонячних елементів Insub2/subSsub3/sub/CZTS / B. Zaidi, C. Shekhar, K. Kamli, Z. Hadef, S. Belghit, M. S. Ullah // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - 12, № 1. - С. 01024-1-01024-3. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Kamli K. Prediction of adhesion energy terms in metal/ceramic systems by using acoustic parameters = Прогнозування складових енергії адгезії в системах метал/кераміка на основі акустичних параметрів / K. Kamli, Z. Hadef, A. Gacem, N. Houaidji // Metallophysics and Advanced Technologies. - 2020. - 42, № 5. - С. 717-730. - Бібліогр.: 31 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Zaidi B. Annealing and hydrogenation effects on the electrical properties of polysilicon thin films / B. Zaidi, C. Shekhar, S. Gagui, K. Kamli, Z. Hadef, B. Hadjoudja, B. Chouial // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : зб. наук. пр. - 2021. - 19, вип. 1. - С. 133-138. - Бібліогр.: 19 назв. - англ. Електричні параметри мікроелектронних пристроїв обмежені наявністю меж зерен, в тому числі обірваних зв'язків, які можуть представляти стани з пастками для неосновних носіїв заряду. Підвищення фотоелектричної ефективності вимагає певного розуміння явища тверднення, яке варіюється залежно від температури. У даній роботі вивчено вплив температури відпалу і гідрування на електропровідність і питомий опір. Зміни питомого опору як функції термічних оброблень показують, що їх загальний внесок стає важливим у разі підвищення температури, перш ніж стати домінувальним. Аналіз стосовно індукованого струму показав ефект рекомбінантних меж зерен та електричної активності. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.271 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка | ||||
| 5. | Boultif O. Computational study of the photovoltaic performance of CdS/Si solar cells: anti-reflective layers effect = Обчислювання фотоелектричних характеристик сонячних елементів CdS/Si: ефект антиблікових шарів / O. Boultif, B. Zaidi, S. Roguai, A. Mehdaoui, F. Diab, T. Bouarroudj, K. Kamli, Z. Hadef, C. Shekhar // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2023. - 15, № 2. - С. 02016-1-02016-4. - Бібліогр.: 20 назв. - англ. Фотоелектричне перетворення - це фотоелектронний процес, який передбачає взаємодію між фотоном та електроном. Мета роботи полягає в дослідженні фізичного принципу роботи фотоелектричного елемента на основі кремнію. Зовнішніми параметрами, які було визначено на основі фотоелектричної моделі, - струм короткого замикання, напруга холостого ходу і ефективність фотоелектричного перетворення. Проведено моделювання фотоелектричних параметрів за допомогою програмного забезпечення симулятора ємності сонячних батарей SCAPS-1D, математична модель якого базується на розв'язуванні рівнянь Пуассона для електронів і дірок. Для досліджень було використано ITO/CdS/Si та ZnO/Si/CdS. У даній роботі вивчено вплив температури та концентрації легування на дві структури сонячного елемента з гетеропереходом. Найвище значення ефективності для сонячної батареї з гетеропереходом ZnO/CdS/Si мало величину 29,3 %, для структури ITO/CdS/Si - 29,7 % завдяки впливу поглинаючого шару ITO. Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського