Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) |
Пошуковий запит: (<.>A=Kavetskyy T$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 13 Представлено документи з 1 до 13 |
||||
| 1. | Kavetskyy T. On the origin of nanovoids in binary chalcogenide glasses studied by FSDP-related XRD, PALS and Monte-Carlo simulation = Вивчення природи нанопустот у бінарних халькогенідних стеклах методами рентгенівської дифракції із застосуванням до першого різкого дифракційного піку позитронної анігіляції та Монте-Карло моделювання / T. Kavetskyy, O. Shpotyuk, V. Boyko, J. Filipecki, M. Popescu // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. фіз. - 2007. - Вип. 40. - С. 153-158. - Библиогр.: 10 назв. - англ.
| |||
| 2. | Kavetskyy T. S. IR optical properties of $E bold roman {As sub 32 Sb sub 8 S sub 60} chalcogenide glass and effect of $E bold gamma-irradiation = Вплив $E gamma-опромінення на ІЧ оптичні властивості халькогенідного скла $E roman {As sub 32 Sb sub 8 S sub 60} / T. S. Kavetskyy, O. I. Shpotyuk, G. I. Dovbeshko, I. V. Blonskyy, V. M. Tsmots // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2009. - № 2. - С. 22-25. - Библиогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Kavetskyy T. S. Radiation/annealing-induced structural changes in GeVBIxDAsVBI40-xDSVB60D glasses as revealed from high-energy synchrotron X-ray diffraction measurements / T. S. Kavetskyy, V. M. Tsmots, A. L. Stepanov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - 15, № 4. - С. 310-320. - Бібліогр.: 43 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Kavetskyy T. S. Modified correlation equation in the FSDP-related void-based model for AsVB2DS(Se)VB3D chalcogenide glasses / T. S. Kavetskyy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2013. - 16, № 2. - С. 136-139. - Бібліогр.: 26 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Kavetskyy T. S. Radiation-induced structural changes in chalcogenide glasses as revealed from Raman spectroscopy measurements / T. S. Kavetskyy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2013. - 16, № 1. - С. 27-36Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - Бібліогр.: 63 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Kavetskyy T. S. Radiation-induced optical darkening and oxidation effects in AsVB2DSVB3D glass / T. S. Kavetskyy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 3. - С. 308-312. - Бібліогр.: 26 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Kavetskyy T. S. Low-temperature positron annihilation study of $E bold roman B sup +-ion implanted PMMA / T. S. Kavetskyy, V. M. Tsmots, S. Ya. Voloshanska, O. Sausa, V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, Y. N. Osin, A. L. Stepanov // Физика низ. температур. - 2014. - 40, № 8. - С. 959-963. - Бібліогр.: 30 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Kavetskyy T. S. Long-term radiation-induced optical darkening effects in chalcogenide glasses / T. S. Kavetskyy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 4. - С. 395-398. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Kavetskyy T. S. Comments on the "Metallic nanoparticles (Cu, Ag, An) in chalcogenide and oxide glassy matrices: comparative assessment in terms of chemical bonding" // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 20(1), p. 26 - 33 (2017) / T. S. Kavetskyy, A. L. Stepanov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 4. - С. 481-482. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Akbarzadeh A. Role of dendrimers in advanced drug delivery and biomedical applications: a review / A. Akbarzadeh, R. Khalilov, E. Mostafavi, N. Annabi, E. Abasi, T. Kafshdooz, R. Herizchi, T. Kavetskyy, S. Saghfi, A. Nasibova, S. Davaran // Experimental Oncology. - 2018. - 40, № 3. - С. 178-183. - Бібліогр.: 93 назв. - англ. Aim - dendrimers dendritic structural design holds vast promises, predominantly for drug delivery, owing to their unique properties. Dendritic architecture is widespread topology found in nature and offers development of specific properties of chemical substances. Dendrimers are an ideal delivery vehicle candidate for open study of the effects of polymer size, charge, and composition on biologically relevant properties such as lipid bilayer interactions, cytotoxicity, bio-distribution, internalization, blood plasma retention time, and filtration. This article reviews role of dendrimers in advanced drug delivery and biomedical applications. Індекс рубрикатора НБУВ: Р282.52 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж14160 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Категорія: Фізико-математичні науки | ||||
| 11. | Stronski A. V. The boson peak and the first sharp diffraction peak in (Assub2/subSsub3/sub)subx/sub(GeSsub2/sub)sub1 - x/sub glasses = Бозонний пік та перший різкий дифракційний пік у стеклах (Assub2/subSsub3/sub)subx/sub(GeSsub2/sub)sub1 - x/sub / A. V. Stronski, T. S. Kavetskyy, L. O. Revutska, I. Kaban, P. Jovari, K. V. Shportko, V. P. Sergienko, M. V. Popovych // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2021. - 24, № 3. - С. 312-318. - Бібліогр.: 28 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Категорія: Біологічні науки | ||||
| 12. | Kavetskyy T. S. EPR study of self-organized magnetic nanoparticles in biomaterials = ЕПР дослідження самоорганізованих магнітних наночастинок у біоматеріалах / T. S. Kavetskyy, V. N. Soloviev, R. I. Khalilov, V. A. Serezhenkov, L. I. Pan'kiv, I. S. Pan'kiv, A. N. Nasibova, V. I. Stakhiv, A. S. Ivasivka, M. K. Starchevskyy, Yu. V. Pavlovskyy, Yu. V. Bondaruk, D. Dyachok // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 2. - С. 146-156. - Бібліогр.: 32 назв. - англ.
| |||
Категорія: Хімічні науки у цілому | ||||
| 13. | Donchev І. І. Computer model of track biosensor = Комп'ютерна модель трекового біосенсора / І. І. Donchev, T. S. Kavetskyy, O. R. Mushynska, O. V. Zubrytska, I. V. Briukhovetska, A. M. Pryima, H. Ya. Kovalchuk, N. K. Hoivanovych, L. M. Kropyvnytska, Ya. Ya. Pavlyshak, T. B. Skrobach, S. S. Monastyrska // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 4. - С. 441-445. - Бібліогр.: 12 назв. - англ. На основі відомої моделі циліндричної нанопори, створеної за допомогою класичного методу молекулярної динаміки, досліджено закономірності проходження потоку електроліту крізь наноциліндр, який використовується для моделювання іонно-індукованого треку в тонкій плівці. У даному дослідженні модель нанотреків враховує структуру дефектів внутрішньої поверхні нанотреків. Описано модель структурного дефекту, який є центром адсорбції модельних частинок, що проходять крізь наноциліндр. Виявлено чутливість густини потоку електроліту до його складу, що пояснюється взаємодією частинок, які проходять крізь наноциліндр, зі структурними дефектами його внутрішньої поверхні. Цей ефект надає змогу створити біосенсорну систему для детектування низьких концентрацій різного типу домішок у рідині. Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського