Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Korsunskaya N$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
      
Категорія:    
1.

Torchinskaya T. V. 
Effect of the desorption process on photoluminescence excitation spectra of porous silicon = Вплив процесу десорбції на спектри збудження фотолюмінесценції пористого кремнію / T. V. Torchinskaya, N. E. Korsunskaya, L. Yu. Khomenkova, B. R. Dzhumaev, A. Many, Y. Goldstein, E. Savir // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 61-65. - Библиогр.: 4 назв. - англ.

Досліджено механізм збудження фотолюмінесценції пористого кремнію методами фотолюмінесценції та інфрачервоного поглинання. Показано, що існує два типи спектрів збудження, які містять або дві смуги (видиму та ультрафіолетову), або тільки одну (ультрафіолетову) смугу. Вивчено залежності інтенсивностей кожної смуги від режимів електрохімічного травлення, а також їх поведінка у процесі старіння та термічного оброблення пористих шарів. Показано, що існують два канали збудження фотолюмінесценції. Видима смуга у спектрі збудження при 300 К пов'язується з поглинанням світла у речовинах, які адсорбовані на поверхні кремнієвих ниток.


Ключ. слова: Photoluminescence, excitation, porous silicon, desorbtion
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.249

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
2.

Korsunskaya N. E. 
Electron-enhanced reactions responsible for photoluminescence spectrum change in II - VI compounds = Електронно-стимульовані реакції дефектів, які відповідають за зміну спектрів фотолюмінесценції сполук Asub2/subBsub6/sub / N. E. Korsunskaya, I. V. Markevich, B. R. Dzhumaev, L. V. Borkovskaya, M. K. Sheinkman // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 42-46. - Библиогр.: 12 назв. - англ.


Ключ. слова: електронно-стимульованi реакцiї, сполуки А_2В_6, рухомi дефекти
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:
 Електричні властивості 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Borkovskaya L. V. 
About the nature of diffusion anisotropy in CdS crystals / L. V. Borkovskaya, B. R. Dzhumaev, L. Yu. Khomenkova, N. E. Korsunskaya, I. V. Markevich, M. K. Sheinkman // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 282-286. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51

Рубрики:
 Термоелектричні явища 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського