Унікальне сполучення властивостей Брегівського селективного відбиття в холестеричній текстурі та її конформаційна лабільність в електричному полі дозволяє застосування холестеричних рідких кристалів як керованого середовища в оптичних фільтрах і засобах відображення інформації. Відомо, що селективне відбиття планарної текстури можна контролювати за допомогою індукованого полем холестерико-нематичного переходу. Однак такий тип переходу відбувається в холестериках з малим кроком спіралі за достатньо великих значень зовнішнього поля, які межують з границею діелектричного пробою. Альтернативний шлях керування властивостями селективного відбиття від планарної текстури включає використання різновиду нестабільностей: діелектричної, електрогідродинамічної, або інших, що виникають під дією зовнішніх полів. Досліджено деякі особливості виникнення нестабільності та формування рельєфу в плоскій текстурі Гранжана в холестеричних рідких кристалах з позитивною діелектричною анізотропією та малим кроком спіралі. Встановлено, що граткоподібна періодична деформація в плоскій текстурі Гранжана сильно змінює оптичні властивості кутового селективного відбиття такої текстури. Проведено кількісний опис оптичних властивостей планарної текстури в полі діелектричної нестабільності, з використанням аналогічного наближення, що застосовується для опису оптичних властивостей квазіперіодичних слабкоупорядкованих полідоменних холестеричних текстур.

Висвітлено питання одержання, встановлення механізмів і закономірностей формування фазового складу, структури багатошарових покриттів системи (TiAlCrY)N/ZrN з одинарним і системи (TiAlCrY/Zr)/(TiAlCrY)N/ZrN з подвійним періодом модуляції методом вакуумно-дугового осадження. Мішені розташовували на одній прямій на рівних відстанях від перпендикулярної осі, на якій кріпилися підкладинки. Обертання осі з підкладками здійснювали або безперервно, або з фіксованою затримкою у випарників. Покриття обох систем відрізняються високим ступенем ламінарності шарів. Покриття системи (TiAlCrY)N/ZrN мають виражену шарувату періодичну структуру всього обсягу покриття. Період модуляції (сумарна товщина бішару) такої структури становить близько 30 вм. У покриттях системи (TiAlCrY/Zr)/(TiAlCrYN/ZrN) чітко проглядається два періоди модуляції. Один період приблизно збігається з періодом модуляції зразків системи (TiAlCrY/Zr)N і становить близько 30 нм. Другий період модуляції становить приблизно 1,3 мкм. У нього входить - 18 бішарів. Досліджено вплив парціального тиску азоту в камері на вміст азоту в покриттях, їх твердість і адгезійну міцність. Виявлено значне збільшення твердості 68,22 ГПа і адгезійної міцності покриттів з подвійним періодом модуляції структури. Запропоновано принципово новий технологічний підхід до процесу одержання багатошарових покриттів.