Вивчено роль взаємодій, залежних від імпульсу (ВЗІ), у гальмуванні ядер за середніх енергій у межах ізоспін-залежної моделі квантової молекулярної динаміки. Обчислення виконано для енергії налітаючих частинок від 50 до 1000 МеВ/нуклон. Результати показують, що гальмування ядер чутливе до величини прицільного параметра, енергії налітаючої частинки і маси зіштовхувальних частинок. ВЗІ зменшують ступінь гальмування, але не впливають на народження частинок.

Індекс рубрикатора НБУВ: В383.35

Рубрики:

Поділ ядер

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Надано теоретичне дослідження мультифрагментації в реакціях, де зіштовхуються асиметричні ядра важких іонів у діапазоні енергій від 50 до 1000 МеВ/нуклон в моделі ізоспін-залежної квантової молекулярної динаміки та одержано нетривіальний результат. Зіставлено випадки зіткнення симетричних і асиметричних ядер ізоспін-незалежного та ізоспін-залежного перерізів розсіювання. Виявлено істотний вплив відмінності у перерізах розсіювання та асиметрії мас на динаміку ядерних реакцій.

Індекс рубрикатора НБУВ: Е522.925.16 Bra*55

Рубрики:

Capparales

Шифр НБУВ: Ж60216 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.226 + Л434.63-1

Рубрики:

Склоподібні напівпровідники

Тонкі шари напівпровідників

Електровакуумне скло

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.7

Рубрики:

Діелектричні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведен цитологический анализ 31 популяции. Они включают 17 видов, которые принадлежат к 10-ти родам семейства Apiaceae Западных Гималаев. Впервые в мире получены данные для Heracleum brunonis (n = 11) и Pleurospermum densiflorum (n = 11), а также для рас с дополнительными хромосомами у Bupleurum lanceolatum (n = 16), Pimpinella acuminata (n = 9), Sium latijugum (n = 12) и Vicatia coniifolia (n = 22). Кроме того, впервые в Индии изучен набор хромосом Chaerophyllum aromaticum (n = 11). Виды с аномальными мейозами включают Bupleurum lanceolatum, Chaerophyllum acuminatum, C. aromaticum, C. capnoides, C. villosum, Pimpinella achilleifolia, P. acuminata, P. diversifolia, Sium latijugum и Vicatia coniifolia. Мейотические аномалии включали цитомиксис, агглютинацию хроматина, формирование задержек и мостов, приводящие к нарушениям микроспорогенеза, а также структурную гетерозиготность у Chaerophyllum acuminatum и C. aromaticum. Эффект этих аномалий ясно виден на размере и фертильности пыльцы.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Отмечено, что напряженно-деформированное состояние конструкционных элементов из бетона зависит от трения в их нагружаемых поверхностях и может варьироваться путем использования различных антифрикционных прокладок. Выполнен сравнительный экспериментальный анализ влияния граничных условий для нагружающей плиты на напряженно-деформированное состояние бетонных образцов при одноосном сжатии. Образцы из стандартного и высокопрочного бетона испытывали на сжатие с применением четырех различных типов антифрикционных прокладок (неопрен, поливинилхлорид, тефлон и солидол) разной толщины. Показано, что деформирование бетона при высоких уровнях нагрузки существенно зависит от граничных условий для нагружающей плиты и типа антифрикционной прокладки. Установлены механизмы разрушения бетонных образцов при использовании различных антифрикционных прокладок, оптимальным из которых является солидол.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж43925 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ця стаття є ініціативою, яка вироблена новою моделлю надійності для автомобільних галузей ремонту своєї продукції, розділивши політику ремонту на дві категорії: регулярний/звичайний сервіс і стратегія для випадкових або додаткових відмов. Поняття процесу перевірки було введено для належної перевірки несправності, а також для її стратегії ремонту за часом і витратами. Витрати на обслуговування регулярних послуг є фіксованими, але у випадку додаткових збоїв додаткові витрати визначатимуться залежно від рівня збитків. Стохастичний аналіз для системи числово та графічно проаналізовано шляхом обчислення змінних надійності, таких як середній час до відмови системи, доступність, перевірка та технічне обслуговування системи з концепцією геометричного розподілу, марковського процесу та регенеративної техніки. Результати виявились корисними для досягнення мети розрахунку функції прибутку, яка зростає зі збільшенням ремонту та зменшенням рівня відмов.

This paper focuses on the effects occurring due to the inclusion of multi-channel titanium nitride (TiN) material in a dual metal gate (DMG) junctionless (JL) thin film transistor. Two nanosheets have been implemented in a JL tri-gate transistor, which is separated by the gate oxide layer and surrounded by the gate layer. The thickness of TiN material placed in between the gate oxide and gate layer helps in tuning the work function of the gate. The comparison has been done between single channel with single metal gate, double channel with single metal gate, double channel with DMG and double channel with DMG and TiN. Strains have been created in the devices by implementing TiN and DMG. An improvement of 31 % in the output current has been obtained using DMG double channel device when compared with single gate single channel device. The comparison has been carried out in Sentaurus technology computer aided design (TCAD). The drift diffusion model, the mobility model, which includes the effects of doping concentration and electric field, the bandgap narrowing model and the Shockley - Read - Hall recombination model have been used to calculate outputs. The proposed structure acquires higher transconductance values than normal tri-gate devices. It has been verified that when varying the TiN thickness, the potential has been tuned. Due to the tuning of the work function, the performance of the device has been improved.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21

Рубрики:

Наноструктури

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В344.33 + В371.213

Рубрики:

Спектроскопія молекул

Тубулярні і цибулинні графени

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К641.523 + К233.107.5

Рубрики:

Стикове зварювання металів

Вплив зварювання на структуру та властивості алюмінію і його сплавів

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Шифр НБУВ: Ж25371 Пошук видання у каталогах НБУВ