Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Litovchenko N$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
|
| | | | |
1. |
Litovchenko N. M. Excitonic parameters of InVBIxDGaVBI1-xDAs - GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures / N. M. Litovchenko, D. V. Korbutyak, O. M. Strilchuk // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 3. - С. 260-267. - Бібліогр.: 13 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В372.314.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Litovchenko N. M. About influences of different actions on spectra of impurity photoluminescence in GaAs / N. M. Litovchenko, A. V. Prokhorovich, O. N. Strilchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3. - С. 168-170. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.Критично розглянуто можливість визначення у разі зовнішніх впливів змін співвідношення між концентраціями різних центрів люмінесценції в арсеніді галію завдяки аналізу їх спектрів фотолюмінесценції. Встановлено, що гарантовані дані про ці зміни можна отримати лише у разі детального вивчення люкс-яскравісних характеристик домішкових і міждомішкових смуг. Зміна співвідношення інтенсивностей люмінесценції цих смуг свідчить про варіацію концентрації центрів, якщо їх залежності від рівня збудження у вихідних і підданих зовнішньому впливу зразках збігаються. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98 + К232.606.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Glinchuk K. D. Analysis of luminescence method applicability for determination of CdVI1-xDZnVIxDTe composition / K. D. Glinchuk, N. M. Litovchenko, O. N. Strilchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 121-128. - Бібліогр.: 34 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.9
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Glinchuk K. D. Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide / K. D. Glinchuk, N. M. Litovchenko, O. N. Strilchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3. - С. 274-277. - Бібліогр.: 10 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Glinchuk K. D. On the origin of 300 K near-band-edge luminescence in CdTe / K. D. Glinchuk, N. M. Litovchenko, O. N. Strilchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 4. - С. 441-443. - Бібліогр.: 14 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.247
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Glinchuk K. D. Analysis of luminescence method for determination of $E bold {{roman Cd} sub 1-x {roman Zn} sub x roman Te} composition / K. D. Glinchuk, N. M. Litovchenko, A. V. Prokhorovich, O. N. Strilchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 3. - С. 39-44. - Бібліогр.: 18 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|