Досліджено високоефективні світловипромінювальні діоди з додаванням і без додавання надгратки на основі твердих розчинів (Al, Ga, In)N. Дослідження проведено у широкому діапазоні температур (10 - 300 K) і шумових струмів (10 нА - 2 мА). Встановлено, що структури з додаванням надгратки володіють вищою стабільністю роботи та кращими робочими характеристиками. Зроблено припущення, що використання надгратки компенсує пружну напругу та п'єзополя на гетеромежі. Така компенсація напруги зменшує утворення дислокацій у структурі з додаванням надгратки, що збільшує інтенсивність випромінювання і зменшує ефект саморозігрівання.

Досліджено вплив введення надгратки на люмінесцентні властивості гетероструктур на основі (Al,In,Ga)N. Показано, що використання структури з двома надгратками, InGaN/InGaN під активною областю та AlGaN/GaN як верхнього p-шару, призводить до найкращого результату. Пружні напруги на межі розділу в гетеропереході цих структур компенсуються оптимальним образом. Це призводить до їх максимальної ефективності та стабільного функціонування.