Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Nadtochiy V$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
||||
| 1. | Moskal' D. Structure changes in GaAs chips deformed by pressing at 300 K = Структурні зміни в кристалах GaAs, деформованих стисканням при 300 K / D. Moskal', V. Nadtochiy, N. Golodenko // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2004. - № 2. - С. 89-93. - Библиогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Nadtochiy V. A. Microplasticity of subsurface layers of diamond-like semiconductors under microindentation / V. A. Nadtochiy, V. P. Alyokhin, M. M. Golodenko // Физика и техника высоких давлений. - 2005. - 15, № 1. - С. 44-49. - Библиогр.: 20 назв. - англ. Experimental confirmations of the influence of the free surface of a chip on processes of plastic deforming under indentation such as a decrease of the effective activation energy of dislocations with reduction of load on the indenter and a considerable decrease of temperature of the beginning of polygonization processes, when annealing microhardness rosettes in the field of small impresses, are obtained. A possibility of dislocation motion by means of creeping at temperatures lower than brittleness threshold temperature was shown on the example of GaAs. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Nadtochiy V. Microplasticity and electrical properties of subsurface layers of diamond-like semiconductors strained at low temperatures / V. Nadtochiy, N. Nechvolod, N. Golodenko // Functional Materials. - 2003. - 10, № 4. - С. 702-706. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Nadtochiy V. Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer / V. Nadtochiy, N. Golodenko, N. Nechvolod // Functional Materials. - 2005. - 12, № 1. - С. 45-50. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Moskal D. Periodic structure formation in GaAs near-surface layer by laser beam with diffraction modulated intensity / D. Moskal, V. Nadtochiy, N. Golodenko // Functional Materials. - 2006. - 13, № 1. - С. 100-104. - Бібліогр.: 22 назв. - англ. За допомогою методу сіток розраховано термопружні напруження на поверхні GaAs, що виникають у процесі неруйнівного лазерного опромінювання з дифракційною просторовою модуляцією інтенсивності від непрозорого екрана з прямокутним вирізом. З використанням оптичного методу досліджено структуру опромінених приповерхневих шарів кристалів. Пошаровим хімічним травленням виявлено періодичні острівцеві структури, що утворені внаслідок дифузійного перерозподілу дефектів. Індекс рубрикатора НБУВ: К230.25 + К230.91 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського