Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Напівпровідникова промисловість розвивається з кожним днем, щоб задовольнити потреби суспільства. З розвитком технологій щільність транзисторів в мікросхемі зростає, щоб підвищити продуктивність, зберігаючи при цьому розмір. Завдяки мініатюризації транзисторів за останні десятиліття, технічний прогрес не стоїть на місці. Інтенсивне масштабування планарного MOSFET перервало еру нанорозмірних приладів через значні ускладнення, пов'язані зі збільшенням паразитної ємності, підпороговим струмом витоку, більш тонкими оксидами затвора, що спонукало дослідників розробити та впровадити нові пристрої з підвищеною ефективністю за низьких параметрів потужності та зменшеними короткоканальними ефектами (SCEs). У даній оглядовій роботі було досліджено та проаналізовано нещодавній технологічний попит на польові транзистори (FETs) з декількома затворами. Пристрої з декількома затворами демонструють кращі характеристики, ніж звичайні FETs через їх крутий підпороговий схил, менший струм витоку та відмінні електростатичні властивості навіть за нанометрової довжини каналу. Польові транзистори з потрійним затвором (TG FETs) і польові транзистори з горизонтальним розташуванням каналів та круговим затвором (GAA FETs) додатково покращують керування затвором у каналі. Використовуючи технологію з декількома затворами на основі FinFET, контроль затвора над каналом може бути покращено разом зі зменшенням паразитних ємностей. Щоб вивчити переривання у дослідженнях, проблеми технологій FinFET також було розглянуто разом із впровадженням нових пристроїв. Нанолисти та розгалужені листи добре вирішують ці проблеми, оскільки структури затворів накладаються одна на одну, щоб сформувати структуру з декількома затворами, яка підтримує покращений контроль затвора над каналом, тоді як CFET вводить 3D масштабування шляхом "складання" nFET поверх pFET, використовуючи всі можливості масштабування пристрою в 3D просторі.