Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Sapaev B$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
      
Категорія:    
1.

Sapaev B. 
Ip-nD junctions obtained in (GeV2D)VIxD(GaAs)VI1-xD varizone solid solitions by liquid phase epitaxy / B. Sapaev, A. S. Saidov, I. B. Sapaev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 33-34. - Бібліогр.: 2 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:
 Фізика напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Sapaev B. 
Spectroscopy of (SiV2D)VI1-xD(ZnS)VIxD solid solutions / B. Sapaev, A. S. Saidov, I. B. Sapaev, Yu. Yu. Bacherikov, R. V. Konakova, O. B. Okhrimenko, I. N. Dmitruk, N. P. Galak // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 3. - С. 16-18. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:
 Оптичні властивості напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Sapaev I. B. 
Current-voltage characteristics of the injection photodiode based on M(In) - n-CdS - p-Si - M(In) structure / I. B. Sapaev, B. Sapaev, D. B. Babajanov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2019. - 22, № 2. - С. 188-192. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.

The current-voltage characteristic of an injection photodiode of the In - n-CdS - p-Si - In structure, which can operate in a wide spectral range of electromagnetic radiation at room temperature, has been investigated. It is found that the current-voltage characteristic of such structures has a power-law dependence of the current on the voltage. It is shown that in the area of the sharp increase in current of the current-voltage characteristics, participation of defect-impurity complexes in recombination processes becomes decisive.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:
 Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи) 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського