Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Semenov Yu$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
|||
| 1. | Semenov Yu. G. On the theory of carrier-induced ferromagnetism in diluted magnetic semiconductors / Yu. G. Semenov, S. M. Ryabchenko // Физика низ. температур. - 2000. - 26, № 12. - С. 1197-1201. - Библиогр.: 15 назв. - англ. Two different approaches (presented in the literature as alternative approximations) to the problem of carrier-induced ferromagnetism in the system of disordered magnetic ions of a diluted magnetic semiconductor are analyzed. They are based on a self-consistent procedure for the mean exchange fields and the Ruderman - Kittel - Kasuya - Yosida interaction. Calculations in the framework of exactly solvable model are carried out, and it shows that these approaches stem from two different contributions to the magnetic susceptibility. One stems from the diagonal part of the carrier - ion exchange interaction and corresponds to mean field approximation. The other one stems from the off-diagonal part of the same interaction and describes the indirect interaction between localized spins via free carries. These two contributions can be responsible for the different magnetic properties. Thus, the aforementioned contributions are complementary but not alternative to each other. A general approach is proposed and compared with different approximations to the problem under consideration. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.5 Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 2. | Kyrychenko F. V. Interface effects in the model of delta-potential for diluted magnetic semiconductor quantum structures = Інтерфейсні ефекти в моделі delta-потенціалу для квантових структур на основі напівмагнітних напівпровідників / F. V. Kyrychenko, Yu. G. Semenov // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 4. - С. 471-475. - Библиогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 3. | Semenov Yu. On irreducible partials of the Ricci tensor traceless part in a finite space-time region in general relativity = Про роль безслідової частини тензора Річчі в незвідних структурах загальної теорії відносності в скінченній просторово-часовій області / Yu. Semenov // Укр. фіз. журн. - 2003. - 48, № 4. - С. 385-391. - Библиогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 4. | Ryabchenko S. M. Additional lines in quantum wells excitonic spectra connected with QW asymmetry caused by technology / S. M. Ryabchenko, F. V. Kirichenko, Yu. G. Semenov, V. G. Abramishvili, A. V. Komarov // Condensed Matter Physics. - 1999. - 2, № 3. - С. 543-552. - Бібліогр.: 6 назв. - англ. Проведено розрахунки відношення інтенсивностей основної і додаткової ліній, енергетичної відстані між ними для квантових ям (КЯ) з асиметричним потенціальним профілем. Обгрунтовано, що додаткова лінія в екситонному спектрі КЯ може бути пояснена переходами між утримуваними в КЯ станами валентних електронів і електронів провідності з різною парністю, які перестають бути забороненими у присутності асиметрії потенціального профілю, спричиненої технологією вирощування КЯ. Показано, що додаткова екситонна лінія типу e1-hh2 є більш інтенсивною в більшій частині актуальних випадків. Зокрема, показано, що додаткова екситонна лінія в структурах вирощених методом лазерної абляції, може бути пояснена як e1-hh2 перехід. Розрахунки показують суттєву чутливість не лише до параметра розширення інтерфейсу, але й до функції його профілю. Зроблено висновок, що метод лазерної абляції призводить до більшої асиметрії КЯ, ніж метод молекулярно-пучкової епітаксії. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 5. | Zyma V. L. Temperature effect on fluorescent properties of $E bold {roman Ca sup 2+} - indo-1 complex / V. L. Zyma, Yu. V. Semenov, M. S. Miroshnichenko, Yu. I. Prylutskyy // Functional Materials. - 2002. - 9, № 2. - С. 340-342. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського