Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.232.3-18

Рубрики:

Покриття металів кобальтом

Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К391.91

Рубрики:

Виробництво композитних металокерамічних матеріалів і виробів

Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.42

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В182.21

Рубрики:

Топологічні простори

Шифр НБУВ: Ж41243 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Нанопорошок ZnO було синтезовано за допомогою методу прямого осадження в умовах навколишнього середовища, використовуючи хлорид цинку та гідроксид натрію як первинні прекурсори. Структурні, морфологічні й оптичні властивості нанопорошку ZnO було одосліджено за допомогою рентгенівської дифракції (XRD), польової скануючої електронної мікроскопії (FE-SEM), енергетично-дисперсійної спектроскопії (EDX), FT-IR, та UV-Visible спектроскопії дифузного відбиття. Аналіз XRD показує, що нанопорошок ZnO має полікристалічну природу та структуру вюрциту. Синтезований нанопорошок складається з однофазних кристалітів, високоорієнтованих у площині відбиття (101). Аналіз EDX підтверджує наявність у нанопорошку вмісту окремих Zn та O, склад яких є майже стехіометричним у пропорції. Морфологію поверхні нанопорошку ZnO було проаналізовано за допомогою методу FE-SEM і було встановлено, що надмірна поверхнева енергія наночастинок відповідає за випадкову орієнтацію та агломерацію. Взаємодію різних функціональних груп під час синтезу було визначено зі спектра FT-IR. Наявність чітких піків поглинання та смуг для стандартних хвильових чисел підтверджує успішне утворення ZnO з різних хімічних речовин, що використовуються в синтезі. Ширину оптичної забороненої зони було оцінено за графіком Кубелка - Манка шляхом екстраполяції лінійної частини кривої на вісь енергій. Наявність частинок у нанодіапазоні та високе значення ширини оптичної забороненої зони підтримують ефект квантового утримання в нанопорошку ZnO.

Проведено вивчення поведінки польового транзистора на вуглецевих нанотрубках (CNTFET), який є одним з наноелектронних пристроїв та основною заміною комплементарних МОН структур (CMOS) та MOSFET, які мають широкий спектр короткоканальних ефектів, що відіграють помітну роль у їх недоліках і, таким чином, змусили авторів шукати кращий пристрій. Одним з таких пристроїв є CNTFET, який краще з точки зору виконання з низьким енергоспоживанням, більш високою швидкістю перемикання, високою мобільністю носіїв та дуже великими інтегральними схемами. Канал такого транзистора складається з вуглецевої нанотрубки, і дана робота стосується моделювання її вольтамперних (I-V) характеристик. Ефективність цього пристрою в цілому залежить від параметрів пристрою, які показані під час моделювання CNTFET, а геометрія пристрою має гарний вплив на транспортування носіїв та надає змогу покращити електростатику, в той час як контакт затвора охоплює весь канал вуглецевої нанотрубки. Вуглецева нанотрубка, що використовується для коаксіальної геометрії, має зигзагоподібну структуру і є напівпровідниковою за своєю природою. Для забезпечення ефективного виконання CNTFETs як життєво важливої частини наноелектронних пристроїв важливу роль відіграють значення коефіцієнта хіральності (n, m), вплив яких показано на струм стоку. Далі перевіряються зміни рівня легування джерела/стоку, які впливають на струм стоку. Також характеристики I-V досліджуються за різних температурних умов, що побічно надає уявлення про рух електронів в цьому пристрої за зміни температури. Крім того, аналіз проводився для того, щоб побачити вплив довжини нанотрубки, напруги коаксіального затвора та товщини затвора на характеристики I-V, а також щоб виявити вплив high-k матеріалів на ці характеристики.

Індекс рубрикатора НБУВ: В69

Рубрики:

Космологія

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ