Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Shchurova T$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 7 Представлено документи з 1 до 7 |
||||
| 1. | Savchenko N. D. Amorphous-crystalline heterojunctions for optoelectronic sensors: electronic structure and properties = Аморфно-кристалічні гетеропереходи для оптоелектронних сенсорів: електронна структура та властивості / N. D. Savchenko, A. B. Kondrat, T. N. Shchurova, I. I. Opachko, V. M. Rubish // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2007. - № 4. - С. 21-25. - Библиогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Shchurova T. N. Simulation of the surface bending of energy band for binary chalcogenide semiconductors = Моделювання поверхневого вигину енергетичної зони бінарних халькогенідних напівпровідників / T. N. Shchurova, N. D. Savchenko, A. B. Kondrat, K. O. Popovych, V. M. Rubish, G. Leising // Фотоэлектроника. - 2008. - Вып. 17. - С. 104-107. - Библиогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Shchurova T. N. Depth profiling of the near-surface layer for $E bold roman {Ge sub 33 As sub 12 Se sub 55} thin films = Определение профилей распределения элементов по толщине приповерхностного слоя тонких пленок $E roman {Ge sub 33 As sub 12 Se sub 55} / T. N. Shchurova, N. D. Savchenko, K. O. Popovic, N. Yu. Baran // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2010. - 1, № 3. - С. 343-347. - Библиогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Savchenko N. D. Effect of oxygen and water adsorption on thermoelectric work function for GeS single crystals = Влияние адсорбции кислорода и воды на термоэлектрическую работу выхода монокристаллов GeS / N. D. Savchenko, T. N. Shchurova, I. I. Opachko, T. I. Panait, K. O. Popovic // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2011. - 2, № 3. - С. 249-252. - Библиогр.: 14 назв. - англ. Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований влияния адсорбции молекул кислорода и воды на термоэлектрическую работу выхода монокристаллов GeS. Поверхностный изгиб энергетических зон при адсорбции молекул кислорода и воды определен в рамках теоретического подхода, разработанного У. А. Харрисоном на основании методов ЛКАО и псевдопотенциала. Рассчитанные величины поверхностного изгиба энергетических зон при адсорбции молекул кислорода и воды для монокристаллов GeS количественно согласовываются с экспериментальными значениями изменения термоэлектрической работы выхода, полученными из измерений контактной разности потенциалов. Індекс рубрикатора НБУВ: Г583.2 + Г124.315 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Savchenko N. D. Simulation of electronic states in the band gap of ZnS: Cu, Cl crystallophosphors / N. D. Savchenko, T. N. Shchurova, K. O. Popovych, I. D. Rubish, G. Leising // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 2. - С. 133-137. - Бібліогр.: 24 назв. - англ. Представлено результати розрахунків верхньої межі валентної зони, дна зони провідності, ширини оптичної зони, електронних станів у забороненій зоні, утворених гомеополярними зв'язками та кластерами для кристалолюмінофорів ZnS: Cu, Cl. Розрахунки проводилися на базі методів лінійної комбінації атомних орбіталей та псевдопотенціалу. Значення енергій визначалися в центрі зони Бріллюена. У розрахунках використовувалися атомні терми, визначені у наближеннях Германа-Скіллмана та Хартрі-Фока. Встановлено кількісне узгодження теоретичних та експериментальних величин ширини забороненої зони та порогу фотоемісії в матеріалах даного типу. Визначено енергетичні значення, що відповідають оптичним переходам (1,77; 2,41; 2,65 та 2,95 еВ), та зіставлено з експериментальними спектрами випромінювання зразків, одержаних у різних технологічних режимах. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.9 + В377.1 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Shchurova T. N. Impurity diffusion in Ge As Se amorphous thin films / T. N. Shchurova, N. D. Savchenko // Functional Materials. - 1999. - 6, № 3. - С. 521-524. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Klevets V. Yu. Modelling of periodic heterostructures based on tin and phosphorus chalcogenides / V. Yu. Klevets, N. D. Savchenko, T. N. Shchurova, I. I. Opachko, K. O. Popovic // Functional Materials. - 2013. - 20, № 1. - С. 97-102. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського